Huawei impila i transistor e aggira il tetto litografico
Huawei ha presentato lunedì 7 settembre il Kirin 9050 Pro, primo processore Kirin illustrato in dettaglio sul palco di un lancio di prodotto in sei anni. Il chip debutta nel Mate XT 2 Ultimate, il tri-fold da 19.999 yuan, e adotta un'architettura di integrazione verticale che l'azienda chiama LogicFolding, presentata come applicazione commerciale della cosiddetta legge di Tao: due strati logici uniti con bonding ibrido wafer-to-wafer, passo di circa 1,5 micrometri e all'incirca 50 milioni di interconnessioni verticali, delle quali una quota fra il 10 e il 15 per cento riservata ai percorsi di segnale ad alta velocità, secondo la ricostruzione tecnica di KAD. La densità di transistor sale da 155 a 238 milioni per millimetro quadrato senza cambiare nodo di processo, i core di prestazione arrivano a 3,1 GHz e l'area occupata dalle piste dati della rete su chip si riduce del 55 per cento, come riporta TechNode.
Il punto non è il telefono. Il Kirin 9050 Pro è prodotto da SMIC, non da TSMC, e resta quindi confinato a un processo di classe 7 nanometri: quello che Huawei rivendica è di aver recuperato una generazione di densità per via architetturale anziché litografica, con un guadagno di prestazione dichiarato del 42 per cento sul predecessore e consumi ridotti fino al 66 per cento su alcuni carichi. Il bonding ibrido wafer-to-wafer non è di per sé una novità, essendo la stessa tecnica che regge gli stack HBM e le SRAM impilate, ma il suo impiego su logica mobile in volumi commerciali è una prima, come segnala DigiTimes. Resta il nodo della resa: unire due wafer significa moltiplicare le perdite, e nessun dato di produzione è stato reso pubblico.
Infineon: Dresda a pieno regime in due o tre anni, fab americana ancora in sospeso
Il chief operating officer di Infineon Alexander Gorski ha dichiarato in un'intervista raccolta a margine di SEMICON Taiwan e pubblicata il 7 settembre che la Smart Power Fab di Dresda sta salendo di capacità al doppio della velocità delle espansioni precedenti e potrebbe raggiungere il pieno regime in due o tre anni, spinta dalla domanda di mercato e da quella legata all'intelligenza artificiale, in un'esclusiva DigiTimes. L'impianto da cinque miliardi di euro, maggiore investimento singolo nella storia del gruppo, è stato inaugurato il 2 luglio con mesi di anticipo e raddoppia la capacità del sito sassone; l'accelerazione è attribuita al gemello digitale usato in fase di progettazione, agli algoritmi che assistono il collaudo degli impianti e al collegamento con Villach nello schema One Virtual Fab, secondo l'azienda.
Nella stessa conversazione Gorski ha lasciato aperta, senza confermarla, l'ipotesi di uno stabilimento proprio negli Stati Uniti, osservando che il ricorso a GlobalFoundries e a ESMC copre già il fabbisogno e che l'equilibrio fra produzione interna, esternalizzazione ed espansione geografica risponde a una richiesta esplicita dei clienti sulla resilienza della filiera, riferisce DigiTimes. È una posizione da registrare mentre Washington costruisce la seconda fase dei dazi Section 232 attorno al principio dell'esenzione per chi produce sul territorio: Infineon scommette che la presenza indiretta, attraverso fonderie già insediate, basti a coprire il rischio tariffario.
SK hynix accelera sul nodo 1c in vista dell'HBM4E
SK hynix sta spostando rapidamente la produzione DRAM sul nodo 1c, sesta generazione della classe 10 nanometri. Il nodo pesava circa il 10 per cento della produzione nel primo trimestre 2026 e il 13 nel secondo, contro il 16 per cento circa di Samsung e il 19 di Micron; la proiezione è del 24 per cento nel terzo trimestre e del 34 nel quarto, oltre il 31 stimato per Samsung, fino al 35 per cento nel primo trimestre 2027, quando il 1c scavalcherebbe il 1b, fermo attorno al 33, diventando per la prima volta il processo principale dell'azienda, secondo Chosun Biz ripresa da TrendForce.
La ragione è l'HBM4E, per cui il 1c è destinato a fare da die di memoria e la cui produzione di massa è attesa nel 2027; i campioni a dodici strati da 48 gigabyte sono stati consegnati a giugno, con 16 gigabit al secondo per pin e oltre il 20 per cento di efficienza energetica in più rispetto all'HBM4. Sull'HBM4 le due coreane hanno scelto strade diverse: Samsung è passata subito al 1c puntando su circa 11,7 gigabit al secondo, SK hynix ha preferito la stabilità del 1b collaudato con packaging MR-MUF, conservando il vantaggio di volumi, rileva DigiTimes. Per chi acquista il dato utile è indiretto: più bit per wafer sul nodo avanzato significa un margine di offerta in più sulla DRAM generica, che resta oggi il vincolo dei progetti non legati all'intelligenza artificiale.
DeepSeek ordina 160.000 acceleratori Huawei per un sito da un gigawatt
DeepSeek prevede di installare almeno 160.000 acceleratori Ascend 950DT di Huawei nel centro dati in costruzione a Ulanqab, nella Mongolia Interna: sarebbe il più grande cluster noto di silicio per intelligenza artificiale di fabbricazione cinese. La notizia, di fonte Bloomberg, è circolata il 4 settembre ed è stata ripresa dalla stampa tecnologica cinese il 7, come riporta TechNode. I chip sono destinati all'inferenza, cioè all'esecuzione dei modelli in produzione, mentre l'addestramento resta su hardware Nvidia; l'impianto è progettato su scala di gigawatt e i 160.000 acceleratori ne coprirebbero soltanto una parte.
Il vincolo è di offerta. Secondo la stessa ricostruzione la produzione 2026 del 950DT si fermerebbe fra le 200.000 e le 300.000 unità, limitata dalla disponibilità di componenti e in particolare di memoria avanzata, per cui la consegna completa richiederebbe più di un anno e l'entrata in servizio parziale è attesa fra la fine del 2027 e l'inizio del 2028, secondo XenoSpectrum. L'Ascend 950DT è costruito sul processo N+3 di SMIC, di classe 7 nanometri, con 144 gigabyte di memoria ad alta banda proprietaria. È lo stesso quadro del Kirin: architettura e integrazione compensano il nodo, ma il packaging avanzato e la memoria restano il collo di bottiglia.
In breve
Robotica
STMicroelectronics ritiene che i robot umanoidi entreranno per primi in fabbrica e indica tre ostacoli ancora aperti: destrezza della mano, capacità decisionale dell'intelligenza artificiale a bordo e costo complessivo di sistema, in un intervento riportato da DigiTimes.
Brevetti
Micron ha ottenuto il settimo esito favorevole davanti al Patent Trial and Appeal Board statunitense nella controversia con YMTC, mentre altre istanze restano in corso all'USPTO, riferisce DigiTimes. Il contenzioso, aperto da YMTC nel novembre 2023 su otto brevetti e allargato l'anno successivo, si gioca su più giurisdizioni, comprese le corti per la proprietà intellettuale di Pechino e Shanghai.
Agenda
Da oggi a venerdì SPIE Photomask Technology and Extreme Ultraviolet Lithography a Monterey; da domani a venerdì la China International Optoelectronic Exposition a Shenzhen; SEMICON India dal 17 al 19 settembre a Nuova Delhi, secondo il calendario di Semiconductor Digest.
