DRAM introvabili per la domanda dei data center
Al KeyBanc Technology Leadership Forum del 10 agosto Sumit Sadana, chief business officer di Micron, ha messo per iscritto quello che i reparti acquisti sospettavano da mesi: per quello che riguarda i data center l'azienda non riesce a servire più della metà della domanda. Il vincolo numero uno segnalato dai clienti non è l'energia, né lo spazio fisico, né la disponibilità di wafer logici: è la DRAM. Micron si attende un 2027 più teso del 2026.
Sadana ha ribadito i 16 Strategic Customer Agreements: contratti take-or-pay vincolanti, in larga parte estesi fino al 2030, destinati a coprire circa metà del fatturato. Un dettaglio stona con il quadro di scarsità, ed è l'azienda a segnalarlo: gli aumenti di listino stanno rallentando, perché la società lavora in parallelo su mix, volumi e prezzo. Per chi acquista, il negoziato si sposta dal prezzo unitario alla garanzia di allocazione pluriennale.
Il mercato spot resta su un binario diverso. L'aggiornamento del 12 agosto registra scambi ancora fiacchi sulla DRAM, con un divario persistente fra prezzi richiesti e offerti e il DDR4 in rialzo dello 0,93%.
HBM4E apre l'era della memoria su misura, e riduce i fornitori
Dallo stesso forum arriva l'indicazione più rilevante per chi progetta acceleratori: la personalizzazione della HBM comincia con HBM4E, con SKU sviluppate insieme ai clienti. Tempi, costi e complessità di qualifica rendono improbabile che un cliente lavori con tutti e tre i fornitori su ogni progetto. L'esito plausibile è un mercato a due fornitori, in alcuni casi a fornitore unico.
Micron impiega DRAM 1-beta per HBM4 e passerà a 1-gamma con HBM4E. I logic die, standard e custom, saranno prodotti da TSMC: la dipendenza della catena HBM dalla foundry taiwanese si estende anche alla parte logica dello stack. In Corea, con le rese HBM4 di Samsung intorno all'80%, il tema delle trimestrali del secondo semestre non è più la resa ma il prezzo.
SK hynix riapre Dalian: oltre un terzo del NAND resta in Cina
Solidigm, controllata di SK hynix, ha ripreso nella prima metà dell'anno l'investimento sul secondo impianto di Dalian, fermo da quattro anni. Edificio completato, installazione delle apparecchiature possibile già a novembre, produzione di massa attesa nella prima metà del 2027. La nuova linea aggiungerebbe circa 50.000 wafer al mese ai 100.000 di Fab 1: circa il 50% in più di capacità cinese.
La strategia è a due binari. Dalian resta sul NAND general purpose intorno ai 100 layer, con l'architettura floating gate ereditata dall'acquisizione del business NAND di Intel nel 2021; Cheongju prende le alte densità, oltre i 300 layer, con l'impianto M17 da 19.100 miliardi di won e prima camera bianca entro fine 2028. Il motivo della divisione è noto: le restrizioni statunitensi sulle apparecchiature avanzate, EUV in testa, hanno rallentato conversioni e rese sul sito cinese. Dalian può crescere in volume, non in tecnologia.
Samsung segue una traiettoria parallela a Xi'an, dove il 30 marzo ha completato la conversione da V6 a 128 layer a V8 a 236 layer e prepara il V9 a 286 layer per il 2027. I numeri che contano per una valutazione di rischio: Xi'an vale il 30-35% della capacità NAND di Samsung, Dalian il 35-40% di quella di SK hynix. Gli stessi due siti sono al centro della verifica sulle apparecchiature di etching cinesi AMEC di cui abbiamo scritto la settimana scorsa: la sostituzione degli utensili americani è la seconda gamba della stessa strategia.
Intel torna a guardare la memoria
Lip-Bu Tan ha lasciato intendere un possibile rientro di Intel nel mercato della memoria: in passato aveva evitato quel settore per la sua natura di commodity, oggi lo considera maturo per l'innovazione. Sul tavolo l'ipotesi di impilare la memoria sopra la CPU e un brevetto pubblicato il 2 luglio e depositato a dicembre 2024, battezzato XBM: celle 1T1C con transistor back-end-of-line, collegamento seriale UCIe al posto dell'interfaccia parallela ultra-larga, niente interposer in silicio.
Va detto quello che è: un brevetto, non un prodotto, con orizzonti oltre il 2030. In parallelo Intel sviluppa ZAM con SAIMEMORY, controllata di SoftBank. Il segnale resta coerente — quando la memoria diventa il collo di bottiglia dell'infrastruttura AI, chi produce logica prova a riprendersi una parte dello stack.
Huawei: il Kirin 2026 ha una data, ed è settembre
La Tau Scaling Law e l'architettura LogicFolding le abbiamo raccontate a maggio, quando He Tingbo le presentò all'ISCAS di Shanghai come alternativa allo scaling litografico. Quello che cambia oggi è il calendario industriale: Mate 90 e Mate XT2 sono attesi entrambi a settembre con lo stesso Kirin 2026 a bordo. Due lanci con lo stesso silicio nello stesso mese sono un indizio di volumi disponibili, non di campionatura.
Gli altri elementi nuovi riguardano il roadmap. Kirin 2026 e Kirin 2027 hanno completato il tape-out e sono in validazione. Sulla generazione in arrivo Huawei dichiara un guadagno del 41% di efficienza energetica sui core prestazionali a parità di prestazioni, con la tensione di funzionamento scesa da 1,1 a 0,9 volt, e una frequenza di picco più alta del 12,7%: numeri che, se confermati, pesano più della densità di transistor già annunciata a maggio. La versione V2 del paper estende LogicFolding oltre i SoC mobili, fino agli acceleratori, con l'Ascend 990 collocato intorno al 2030. Restano dati aziendali, non misure indipendenti.
Packaging avanzato: SPIL apre il cantiere di Douliu
L'11 agosto SPIL, controllata di ASE Technology Holding, ha avviato i lavori del nuovo impianto di Douliu, nella contea di Yunlin: quasi 100 miliardi di dollari taiwanesi, circa 3,1 miliardi di dollari, su sei ettari destinati al packaging CoWoS. Prima fase operativa nel 2028 con 1.300 addetti, oltre 2.200 a regime. È il secondo sito del gruppo a Yunlin dopo Huwei, inaugurato a settembre 2025 e già in utile.
Il contesto è la capacità CoWoS di TSMC, insufficiente rispetto alla domanda AI. SPIL ha investito 200 miliardi di dollari taiwanesi nell'ultimo biennio e sta raccogliendo altri 16,194 miliardi con 809,7 milioni di nuove azioni. Sul fronte memoria, Winbond espande il sito di Kaohsiung: cantiere a gennaio, produzione pilota a fine 2029, Modulo B da 10.000 wafer da 12 pollici al mese fino a 50.000 a regime.
GaN: Navitas porta Renesas davanti alla corte del Texas
Il 10 agosto Navitas Semiconductor ha depositato una causa per violazione di brevetto contro Renesas Electronics presso la corte distrettuale del Distretto Est del Texas. L'azione riguarda le principali linee GaN del gruppo giapponese, SuperGaN comprese, e chiama in causa quattro brevetti statunitensi: 9.929.079, 11.545.838, 11.770.010 e 11.862.996. Navitas arriva alla causa dopo un'azione per segreti industriali avviata da Renesas, e a poche settimane dalla causa che Wolfspeed ha depositato in Delaware contro Navitas stessa: qui la fabless californiana passa dalla parte dell'attore.
Il motivo dello scontro è semplice: l'alimentazione dei data center AI ha trasformato il GaN ad alta potenza in un mercato contendibile, e i margini ora giustificano il contenzioso. Per chi progetta stadi di potenza, una controversia su linee mature può tradursi in vincoli di fornitura entro pochi trimestri.
