Le ultimissime del 5 giugno – WSTS 1.500 miliardi, SEMI equipment record e HBM5

ultimissime

Mercato globale a 1.511 miliardi: WSTS rivede al rialzo il 2026

Il 2 giugno il World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) ha pubblicato la sua previsione primaverile: il mercato globale dei semiconduttori raggiungerà 1.511 miliardi di dollari nel 2026, con una crescita del 89,9% rispetto al 2025. La revisione è marcata: a dicembre 2025 la stessa WSTS stimava 975,4 miliardi. Il segmento memory è il traino principale, con una crescita attesa di circa il 250% e ricavi proiettati oltre 800 miliardi di dollari, spinti dalla domanda di HBM e server AI. Il mercato logic cresce del 37%, attestandosi a 411 miliardi. Per il 2027 WSTS stima un ulteriore +27%, con il mercato che si avvicina a 1.900 miliardi. Il comparto americano è quello con la crescita più pronunciata nel 2026 (+112%), concentrata sugli investimenti in infrastrutture cloud e AI. (WSTS)

Equipment: billings Q1 2026 a 36,55 miliardi, nuovo record storico

SEMI ha comunicato il 5 giugno che i billings globali di attrezzature per semiconduttori sono aumentati del 14% anno su anno nel primo trimestre 2026, a 36,55 miliardi di dollari — nuovo massimo trimestrale. La crescita sequenziale è dell’1%. Il record è attribuito agli investimenti legati all’AI, con espansione di capacità produttiva e aggiornamenti tecnologici a supporto della logica avanzata, DRAM e advanced packaging.

Samsung HBM5 con base die a 2 nm: il raffreddamento diventa la nuova corsa

Al Computex 2026 (2–4 giugno) Samsung ha presentato il primo mockup fisico di HBM5, abbinando la memoria di ottava generazione a una struttura di raffreddamento integrata nel package denominata Heat Path Block (HPB). La novità tecnica principale è che il base die di HBM5 sarà prodotto sul processo 2 nm interno Samsung, scendendo dal nodo 4 nm usato per HBM4 e HBM4E. L’HPB estrae il calore dall’interno dello stack attraverso pilastri termici dedicati, portandolo verso uno spreader esterno al package. Si tratta di una risposta diretta all’aumento esponenziale della densità di potenza nell’interfaccia die-to-die tra memoria e GPU. (Samsung)

SK Hynix: bottleneck memory fino al 2030, raddoppio capacità in 5 anni

La settimana precedente Computex 2026, SK Hynix ha presentato il proprio design termico iHBM, e nel corso della manifestazione taiwanese il chairman Chey Tae‑won ha dichiarato che il bottleneck della memoria persisterà fino al 2030. Il gruppo ha annunciato l’intenzione di raddoppiare la capacità produttiva nei prossimi cinque anni. Secondo le dichiarazioni, l’offerta attuale dei principali produttori di memoria coprirebbe solo il 50% della domanda di medio‑lungo termine dei grandi player tecnologici. Costruire un nuovo fab richiede almeno tre anni; partire da un sito vergine oltre cinque anni: numeri che spiegano perché nessuna promessa di espansione può risolvere l’equazione nell’arco del ciclo AI in corso.

Contesto tecnico e competitivo

Il confronto tra HPB di Samsung e iHBM di SK Hynix evidenzia una convergenza sulle soluzioni termiche come leva competitiva chiave: con densità di banda e potenza in aumento, il collo di bottiglia non è solo di capacità produttiva ma anche termico-progettuale. Le soluzioni che estraggono calore dall’interno dello stack verso superfici esterne consentono frequenze più elevate e maggiore affidabilità operativa, elementi essenziali per i moduli destinati a training e inference AI su larga scala.

Implicazioni di mercato

La combinazione di una previsione WSTS fortemente rialzista, investimenti record in equipment e limiti di capacità a breve termine suggerisce un ciclo di mercato guidato dalle memorie, con possibili pressioni sui prezzi e sui lead time dei moduli HBM e DRAM; un’accelerazione degli investimenti in fab e in tecnologie di packaging e thermal management; un'opportunità per fornitori di soluzioni termiche, materiali avanzati e servizi di packaging e un significativo impatto geopolitico e sulle supply chain, con gli Stati Uniti in rapida crescita per investimenti in cloud/AI.
(E.L.)

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