La giornata del 7 maggio è dominata da tre fronti di novità, tutti con effetti diretti sulla catena del valore dei semiconduttori. A Teheran è entrata in funzione la Persian Gulf Strait Authority, l’organismo creato il 5 maggio per autorizzare e regolare ogni transito mercantile attraverso lo Stretto di Hormuz, mentre la risposta iraniana alla proposta statunitense di chiusura della guerra è attesa entro la giornata.
Sulla Borsa di Shanghai, l’indice STAR 50 ha toccato un nuovo massimo storico sulla scia del rally del comparto chip cinese, con Hygon che ha superato la soglia degli 820 miliardi di yuan di capitalizzazione. Sul lato manifatturiero, TrendForce ha confermato il 6 maggio che TSMC sta riconvertendo la Fab 15A nel Central Taiwan Science Park dai nodi 28/22 nm verso il 4 nm, segnale di una pressione crescente sui nodi maturi che si scarica anche sulle fonderie storiche.
Hormuz a pedaggio: l’Iran istituzionalizza il transito, Washington congela Project Freedom
La Persian Gulf Strait Authority, secondo Maritime Executive e The Week, ha già emesso le prime registrazioni: gli armatori interessati al passaggio devono compilare un modulo, ricevere un permit via email e versare un pedaggio prima del transito. La soluzione, formalizzata dopo una fase iniziale di richieste informali avviata a marzo, punta a consolidare un controllo strutturale sullo Stretto e a costruire una rendita logistica aggiuntiva rispetto a quella petrolifera.
Sul fronte opposto, CNBC e Insurance Journal riferiscono che molti armatori restano riluttanti ad accettare il quadro iraniano, mentre la Casa Bianca ha sospeso la scorta militare denominata Project Freedom citando “grandi progressi” nei colloqui con Teheran. Secondo le stime riportate dalle stesse fonti, circa 1.600 mercantili restano fermi nell’area. Per l’elettronica europea il punto di attenzione è il prossimo annuncio iraniano sulla proposta USA, atteso entro la giornata: in caso di rifiuto, i tempi di consegna dei materiali per fab e dei dispositivi finali rischiano un nuovo allungamento.
TSMC, Fab 15A vira sui 4 nm: pressione sui nodi maturi e accelerazione sull’1,4 nm
La nota di TrendForce pubblicata il 6 maggio rivede al rialzo l’assetto produttivo della Fab 15A nel Central Taiwan Science Park: l’impianto, originariamente dedicato ai 28 e 22 nm, è in fase di upgrade verso il 4 nm. La mossa segnala una domanda sostenuta sui nodi intermedi che TSMC non riesce più a soddisfare con le sole linee di Hsinchu e Tainan, e indica un possibile ri-prezzamento futuro per i clienti ancora ancorati ai nodi maturi.
In parallelo, la fase 2 dell’impianto da 1,4 nm a Taichung anticipa la pre-produzione al terzo trimestre 2027 e la mass production al secondo semestre 2028. Per i progettisti europei attivi su 28/22 e 16/12 nm, la conversione di Fab 15A è un segnale da monitorare in vista dei prossimi cicli di allocazione e delle eventuali rinegoziazioni di prezzo sulla capacità taiwanese.
Borse asiatiche, STAR 50 al record sulla corsa AI: Hygon e Cambricon guidano il rally
Il primo giorno di contrattazioni dopo la festa del Lavoro ha portato lo STAR 50 di Shanghai a un nuovo massimo storico, con un rialzo intraday superiore al 9%. Secondo Global Times e BigGo Finance, Hygon Information Technology ha toccato il limite giornaliero di +20%, spingendo la capitalizzazione oltre gli 820 miliardi di yuan, mentre Cambricon, Loongson, Ingenic e Tongfu Microelectronics hanno messo a segno analoghi up-limit.
Il rally arriva in scia alla narrativa globale sui chip per intelligenza artificiale e ai risultati di AMD (primo trimestre a 10,3 miliardi di dollari, +38% anno su anno) insieme al sorpasso del trilione di dollari di capitalizzazione di Samsung Electronics il 6 maggio, come riportato da CNBC. La lettura industriale è duplice: da un lato la corsa cinese su Hygon e Cambricon riflette la spinta di Pechino verso l’autosufficienza sui chip AI, dall’altro indica che la stretta su gallio e germanio non sta frenando il listino domestico. Sui nodi avanzati, Nvidia e Apple risultano già allocate per l’intero 2026 sulla capacità sub-5 nm di TSMC, lasciando agli altri player margini ridotti di accesso alla fascia più avanzata.
(E.L.)
