Toshiba ha ampliato la propria offerta di MOSFET a canale N da 80 V per i sistemi automotive a 48 V con due nuovi dispositivi conformi ad AEC-Q101, pensati per combinare efficienza elettrica, robustezza di processo e maggiore facilità di ispezione in produzione. I modelli XPH2R608QB e XPH3R908QB sono i primi componenti realizzati con il processo U-MOSX-H di ultima generazione a essere proposti nel package SOP Advance (WF) con fianchi bagnabili, una scelta che va letta non solo in chiave elettrica, ma anche produttiva, perché aiuta il controllo qualità nelle fasi di assemblaggio su scheda.
Efficienza pensata per il 48 V
Il punto di forza dei nuovi MOSFET è la bassa resistenza di conduzione, che nei sistemi a 48 V incide direttamente su perdite, temperatura di esercizio e autonomia complessiva del veicolo. Nel dettaglio, l’XPH2R608QB raggiunge una RDS(on) massima di 2,55 mΩ con una carica totale di gate tipica di 95 nC, mentre l’XPH3R908QB si ferma a 3,9 mΩ massimi e 63 nC tipici, con VGS fino a 10 V. Per il progettista questo significa avere margine per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione nei nodi di potenza, soprattutto in funzioni dove il bilancio termico è già stretto.
Package e produzione
Il package SOP WF con struttura di connettore in rame non è un dettaglio secondario: abbassa la resistenza interna del package, migliora la dissipazione del calore e aiuta a mantenere più stabile il comportamento del dispositivo sotto carico. La presenza dei fianchi bagnabili rende inoltre più semplice l’ispezione ottica automatizzata, perché le saldature risultano più visibili e verificabili durante il collaudo di linea, con un impatto concreto sull’affidabilità della produzione e sul controllo dei difetti di montaggio.
Applicazioni tipiche
I nuovi MOSFET sono indicati per motori brushless DC, convertitori buck DC-DC non isolati e, più in generale, per applicazioni automotive e industriali che richiedono commutazione efficiente e buona gestione termica. Toshiba cita anche l’impiego in motori, alimentatori switching e interruttori di carico, segnalando una gamma che non si limita al solo 48 V ma resta utile anche in sistemi automotive a 28 V, dove la compatibilità con architetture diverse può semplificare la standardizzazione della piattaforma.
Una famiglia in espansione
La serie automotive da 80 V basata su U-MOSX-H comprende anche l’XPQR8308QB in package L-TOGL ad alta dissipazione, a conferma di una strategia orientata a coprire più esigenze di potenza e layout. Per chi sviluppa elettronica di bordo, il valore sta nella possibilità di scegliere dispositivi con caratteristiche elettriche e di package più vicine al caso d’uso reale, senza dover compensare con soluzioni di raffreddamento o filtraggio più pesanti del necessario.
In sintesi, Toshiba porta nel segmento 48 V due MOSFET che combinano perdite contenute, package più favorevole alla verifica in produzione e un’impostazione adatta a funzioni automotive e power conversion. Il risultato è una proposta utile soprattutto quando efficienza, termica e affidabilità di montaggio devono convivere nello stesso progetto.
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