SEMI: wafer di silicio +11,8% nel 2026, record dal 2027
Le spedizioni mondiali di wafer di silicio cresceranno dell'11,8% nel 2026, a 14.420 milioni di pollici quadrati (MSI), e toccheranno nuovi massimi ogni anno dal 2027 al 2029, fino a 17.034 MSI, secondo la previsione annuale pubblicata il 21 ottobre dalla SEMI e ripresa da Semiconductor Digest. La crescita di quest'anno è guidata dalla domanda legata all'AI, che sostiene i wafer epitassiali per la logica avanzata e i wafer lucidati per le memorie, con una domanda che va oltre l'HBM e comprende le DRAM per server e le NAND per uso enterprise.
Contribuiscono anche il recupero dell'utilizzo degli impianti sui nodi maturi e l'attenuarsi delle correzioni di magazzino presso i clienti. I dati comprendono i wafer lucidati ed epitassiali spediti dai produttori agli utilizzatori finali ed escludono quelli non lucidati e rigenerati; la previsione si basa sulle indicazioni dei membri del Silicon Manufacturers Group e non rappresenta una stima ufficiale del gruppo o delle singole aziende.
Lam Research, ricavi record a 8,22 miliardi ma il titolo cede
Lam Research ha chiuso il trimestre terminato il 27 settembre con ricavi record di 8,22 miliardi di dollari, il 22% in più del trimestre precedente e il 54% in più di un anno prima, secondo il comunicato depositato alla SEC. Il margine lordo GAAP è salito al 52,3% e quello operativo al 40,0%, con un utile per azione diluito di 2,19 dollari (2,20 dollari non GAAP). I sistemi hanno generato 5,73 miliardi, assistenza, ricambi e aggiornamenti 2,49 miliardi. La Cina è risalita al 35% dei ricavi, dal 26% di giugno, davanti a Corea (20%) e Taiwan (18%); il dividendo trimestrale passa da 0,26 a 0,33 dollari.
Per il trimestre che si chiude il 27 dicembre la società prevede ricavi di 8,6 miliardi di dollari, con una forchetta di 400 milioni, un margine lordo del 52,5% e un utile per azione di 2,33 dollari. Il direttore finanziario Doug Bettinger ha detto agli analisti che la quota cinese scenderà in misura significativa per il calo degli acquisti dei clienti locali, mentre le multinazionali presenti nel Paese dovrebbero restare solide, secondo la trascrizione della conference call; senza vincoli di fornitura su alcuni componenti, ha aggiunto il management, la previsione sarebbe stata più alta (Investing.com). Nelle contrattazioni dopo la chiusura il titolo ha perso oltre il 5%, riferisce la CNBC.
Intel avvia gli impianti nella Fab 62, l'Ohio slitta al 2030
Intel ha avviato l'installazione delle apparecchiature nella Fab 62, il nuovo stabilimento vicino a Phoenix, e ha posato la prima grande trave strutturale nel cantiere di New Albany, in Ohio, ha annunciato il 21 ottobre Naga Chandrasekaran, responsabile di Intel Foundry, in un intervento sul sito della società ripreso da Bloomberg e da The Next Web. L'avvio dell'attività nella nuova fab dell'Arizona è previsto entro la fine del 2028, secondo la CNBC.
Il primo impianto dell'Ohio, annunciato nel 2022 con l'obiettivo di consegnare chip nel 2025, ha ora come data di completamento il 2030; il secondo è previsto per il 2031. Secondo la CNBC, Intel non ha ancora un grande cliente esterno per i chip 18A prodotti in Arizona, che destina ai propri processori, e le indiscrezioni su un possibile utilizzo del sito dell'Ohio da parte di SK hynix per produrre memorie non hanno trovato conferma.
Nvidia porta Samsung Electro-Mechanics nei substrati ABF
Samsung Electro-Mechanics e Nvidia hanno annunciato il 21 ottobre una partnership strategica per la fornitura di substrati ABF (Ajinomoto Build-up Film) destinati ai chip per l'intelligenza artificiale, secondo il comunicato congiunto. Le due società investiranno insieme in linee dedicate negli stabilimenti di Sejong e Busan, in Corea del Sud, e il contratto pluriennale prevede consegne dal 2026 di substrati per i chipset di calcolo e per gli switch di rete ad alta velocità dei data center.
Entro il 2028 le forniture a Nvidia dovrebbero occupare una quota consistente della capacità di substrati di Samsung Electro-Mechanics, secondo The Asia Business Daily. Nvidia ha indicato che gli accordi con Samsung Electro-Mechanics, con la giapponese Ibiden e con la taiwanese Unimicron rientrano nel piano per moltiplicare per 2,5 la capacità di substrati destinata ai propri prodotti nei prossimi tre anni, riferisce il Korea JoongAng Daily.
Micron, accordo a Taichung; a Taoyuan parte lo sciopero
Micron Memory Taiwan e il sindacato dei lavoratori di Taichung, il principale sito del gruppo sull'isola, hanno firmato il 21 ottobre un accordo che copre più temi e hanno ritirato la mediazione prevista per il giorno dopo, riferisce Reuters; i termini non sono stati resi noti e saranno comunicati ai dipendenti nei prossimi giorni, conferma il Taipei Times. A Taichung lavorano circa 12.300 dei 15.000 dipendenti taiwanesi di Micron, mentre l'incontro dello stesso giorno con il sindacato di Taoyuan, che ne rappresenta circa 3.000, si è chiuso senza intesa su quattro richieste principali, secondo TradingKey.
Il 22 ottobre il sindacato di Taoyuan ha avviato lo sciopero di avvertimento annunciato, con una partecipazione ridotta secondo l'AFP. Il presidente del sindacato, Lin, ha contestato a Micron di aver firmato un'intesa separata con Taichung vincolata da un accordo di riservatezza e ha chiesto una proposta concreta; un'altra dirigente sindacale, Wei Yu-ling, ha avvertito che altri lavoratori potrebbero aderire. Micron ha dichiarato di voler mantenere il dialogo; non sono stati segnalati effetti sulla produzione di DRAM e HBM.
Infineon e Nvidia, convertitori GaN per i rack a 800 V
Infineon Technologies ha annunciato il 21 ottobre, alla conferenza GTC di Nvidia a Berlino, l'estensione della collaborazione con Nvidia ai convertitori di bus intermedio (IBC, Intermediate Bus Converter) in nitruro di gallio per le architetture di alimentazione a 800 V in corrente continua dei data center AI, riferisce Evertiq. L'IBC riduce la tensione di ingresso di 800 V a un livello intermedio, dal quale gli stadi successivi ricavano le tensioni richieste dai processori; con il GaN la commutazione arriva fino a 1 MHz, il che consente componenti magnetici e passivi più piccoli, maggiore densità di potenza e minore ingombro.
Il portafoglio GaN di Infineon copre le conversioni da 800 a 50 V, da 800 a 12 V e da 800 a 6 V e, con i controllori PSOC Control C3 e i driver EiceDRIVER, compone soluzioni complete per l'IBC; la società offre anche IBC in silicio e in carburo di silicio. La cooperazione era partita a maggio 2025 e a ottobre dello stesso anno si era estesa alla protezione del percorso di alimentazione e alle funzioni di hot-swap. Per l'amministratore delegato Jochen Hanebeck l'AI cambia in profondità i requisiti dell'infrastruttura energetica.
Kospi -3,5%, SK hynix e Samsung cedono oltre il 4%
Il 22 ottobre il Kospi ha chiuso in calo del 3,52% a 5.533,77 punti, annullando quasi del tutto il rialzo della seduta precedente: SK hynix ha perso il 5,49% a 1.223.000 won e Samsung Electronics il 4,03% a 214.500 won, secondo The Asia Business Daily, mentre il Kosdaq ha ceduto il 3,62%. Gli investitori esteri sono tornati venditori netti dopo una sola giornata di acquisti e la Banca di Corea ha lasciato il tasso di riferimento al 3%, riferisce AJP.
A Tokyo il Nikkei 225 ha chiuso in calo del 2,65% a 62.907,84 punti, sotto quota 63.000 per la prima volta dal 14 settembre, secondo TradingKey; Tokyo Electron ha perso circa il 6% in seduta, riferisce Saxo, che attribuisce le vendite ai dubbi sulla redditività degli investimenti nell'AI, malgrado i rialzi di Wall Street della sera precedente.
