Mouser ha inserito a catalogo la nuova piattaforma EVB audio GS-EVB-AUD-xx1-GS di GaN Systems. Questa piattaforma di valutazione ad alta efficienza, presenta un amplificatore di classe D ed un alimentatore, entrambi ottimizzati per la qualità del suono, le prestazioni termiche, i costi e le dimensioni. Insieme, le schede offrono un eccezionale design di riferimento per lo sviluppo di un sistema audio a basso costo e ad alte prestazioni.
La piattaforma GS-EVB-AUD-xx1-GS di GaN Systems è disponibile come solo amplificatore di classe D (GS-EVB-AUD-AMP1-GS) o in bundle con una scheda (GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS) ad alimentatore switching (SMPS). La piattaforma di valutazione offre una qualità audio eccezionale attraverso una maggiore larghezza di banda ed una ridotta distorsione armonica. L'amplificatore di classe D integrato presenta uno schema a due canali, stand-alone, BTL con supporto per estensibilità e scalabilità. Questo versatile amplificatore è utilizzabile in progetti con schema ad anello aperto e ad anello chiuso con controllo DSP ottimizzato per qualsiasi tipo di configurazione. L'amplificatore di classe D offre una potenza di uscita da 75 W a 250 W, mentre l'SMPS offre una potenza di uscita di 400 W ed è scalabile a 500 W. L'SMPS presenta anche un'uscita split rail ed incorpora un filtro EMI/EMC.
Sia l'amplificatore di classe D che le schede SMPS utilizzano transistor ad alta mobilità elettronica (E-HEMT) di GaN Systems. Gli E-HEMT sfruttano il layout della cella Island Technology di GaN Systems per ridurre sia le dimensioni che i costi del dispositivo, offrendo allo stesso tempo una corrente sostanzialmente più elevata e prestazioni migliori rispetto ad altri dispositivi GaN. Il GS61008P di GaN Systems, implementato nell'amplificatore di classe D, è un E-HEMT da 100 V, 90 A raffreddato dal lato inferiore che può essere facilmente pilotato direttamente da una varietà di driver GaN. Il GS66506T di GaN Systems, implementato in SMPS, è un E-HEMT da 650 V, 22.5 A raffreddato nella parte superiore, facile da pilotare tramite controller a standard PFC e LLC. Entrambi i transistor offrono una commutazione rapida, una reverse recovery charge pari a zero ed una bassa capacità di uscita.
