ROHM spinge sull’efficienza energetica con i MOSFET SiC di quinta generazione, annunciando un miglioramento significativo delle prestazioni in applicazioni ad alta potenza. La nuova famiglia EcoSiC riduce infatti di circa il 30% la resistenza di ON alle alte temperature rispetto alla generazione precedente, contribuendo a limitare le perdite e ad aumentare la densità di potenza.
Pressione energetica tra AI e data center
Il lancio si inserisce in un contesto di forte crescita della domanda energetica, trainata in particolare dai server per l’intelligenza artificiale e dall’elaborazione dei big data. L’aumento della densità di potenza nei data center sta mettendo sotto pressione le infrastrutture elettriche, rendendo sempre più cruciale l’efficienza nei processi di conversione e gestione dell’energia. In parallelo, anche il settore automotive richiede soluzioni più performanti per supportare l’evoluzione dei veicoli elettrici, con inverter di trazione e sistemi di ricarica sempre più efficienti.
Il ruolo del SiC nelle applicazioni di potenza
In questo scenario, il carburo di silicio continua a guadagnare terreno rispetto al silicio tradizionale nelle applicazioni ad alta potenza, grazie a minori perdite e migliori prestazioni termiche. ROHM, tra i pionieri della tecnologia SiC con l’avvio della produzione di massa già nel 2010, rafforza ora il proprio portafoglio con una nuova generazione di dispositivi progettata per accelerarne ulteriormente l’adozione.
Miglioramenti tecnologici
Dal punto di vista tecnico, i MOSFET SiC di quinta generazione introducono miglioramenti sia nella struttura del dispositivo sia nel processo produttivo. Il risultato è una riduzione della resistenza di ON anche in condizioni operative gravose (Tj = 175 °C), a parità di tensione di breakdown e dimensioni del chip. Questo consente di ottenere sistemi più compatti o, in alternativa, di aumentare la potenza erogata, un vantaggio particolarmente rilevante per gli inverter di trazione nei veicoli elettrici.
Disponibilità e roadmap
ROHM ha già avviato nel 2025 il supporto ai clienti con i bare die di quinta generazione e ha completato lo sviluppo nel marzo 2026. La disponibilità di campioni di dispositivi discreti e moduli è prevista a partire da luglio 2026, ampliando le opzioni di integrazione per progettisti e system integrator.
Le applicazioni target coprono un ampio spettro: nel settore automotive, inverter xEV, caricabatterie di bordo, convertitori DC-DC e compressori elettrici; in ambito industriale, alimentatori per server AI e data center, inverter fotovoltaici, sistemi di accumulo (ESS), UPS, eVTOL e servosistemi AC.
Strategia EcoSiC
Guardando avanti, ROHM prevede di estendere ulteriormente la gamma con nuove tensioni di breakdown e soluzioni di packaging, oltre a rafforzare gli strumenti di progettazione e il supporto applicativo. L’obiettivo è accompagnare la tecnologia SiC verso una fase di diffusione su larga scala, contribuendo a migliorare l’efficienza energetica in tutte le principali applicazioni di potenza.
EcoSiC identifica la famiglia di dispositivi SiC dell’azienda, basata su una filiera completamente integrata che include sviluppo dei wafer, processi produttivi, packaging e controllo qualità, elemento che consente a ROHM di consolidare il proprio posizionamento nel mercato dei semiconduttori di potenza.
