I MOSFET SiC da 650 V nei package DFN8x8 ultracompatti di Toshiba migliorano la densità di potenza e l'efficienza nelle apparecchiature industriali
La bassa figura di merito (RDS(ON) x Qgd) contribuisce a garantire una maggiore efficienza, superando i limiti prestazionali dei progetti dei sistemi di alimentazione ad alta tensione
Toshiba Electronics Europe annuncia la consegna in volumi dei propri MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V di terza generazione TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C, alloggiati nel package compatto DFN8x8 per apparecchiature industriali. Una caratteristica importante del processo di nuova generazione di Toshiba è il coefficiente di temperatura RDS(ON) (resistenza di drain-source) uniformemente basso dei dispositivi. La bassa figura di merito (FoM) RDS(ON) x carica gate-drain (Qgd) consente quindi agli ingegneri di migliorare la densità di potenza e l'efficienza di numerose applicazioni ad alta tensione, tra cui gli alimentatori a commutazione (SMPS), le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV), i gruppi di continuità (UPS) e gli inverter fotovoltaici (PV).
Mosfet in spazi ridotti e maggiore densità di potenza
Il package DFN8x8 a montaggio superficiale riduce il volume di oltre il 90% rispetto ai package esistenti a foro passante, come il TO-247 e il TO-247-4L(X), migliorando la densità di potenza delle apparecchiature e consentendo al contempo l'assemblaggio automatizzato. Il montaggio superficiale riduce inoltre l'impedenza parassita, diminuendo così le perdite di commutazione, e inoltre contribuisce ad ottimizzare la FoM, con un conseguente miglioramento dell'efficienza. Grazie al minor calore da dissipare, i progetti dei sistemi di alimentazione ad alta tensione possono essere più semplici e compatti, il che li rende adatti ad applicazioni con vincoli di spazio o a migliorare la miniaturizzazione.
Inoltre, il dispositivo multi-pin consente una connessione Kelvin del pin sorgente del segnale di pilotaggio del gate. Questa capacità riduce l'effetto dell'induttanza nella connessione di source all'interno del package, consentendo di ottenere prestazioni di commutazione ad alta velocità. Di conseguenza, in condizioni di test specifiche (VDD= 400 V, VGG = +18/0 V, ID = 20 A, RG = 4,7 Ω, L = 100 µH), uno dei nuovi prodotti, il TW054V65C, riduce la perdita di accensione di circa il 55 % e la perdita di spegnimento di circa il 25 % rispetto ai prodotti esistenti di Toshiba, contribuendo così a ridurre le perdite di alimentazione nelle apparecchiature.
