Innoscience propone un nuovo dispositivo HEMT GaN a 650V con modalità di arricchimento (E-mode, normalmente spento) e bassa resistenza RDS(on). I transistor di potenza INN650D080BS hanno una resistenza in stato di accensione (on-resistance) di 80mΩ (valore tipico di 60mΩ) con package DFN standard da 8x8, offrendo una soluzione ideale per applicazioni con potenze superiori, ad esempio architetture LLC totem pole o caricabatterie rapidi.
Come spiega Yi Sun, Sr VP of Product Development di Innoscience, “ora possiamo puntare ad applicazioni di conversione di potenza ad alta densità e alta efficienza. Come gli altri HEMT a 650V della nostra gamma, i nuovi dispositivi sono conformi alle norme JEDEC per chip e package, oltre ad aver superato i test di affidabilità DHSOL (Dynamic High Temperature Operating Life) secondo la norma JEP180 e i test di durata accelerati fino a 1000V, che indicano una durata di 36 anni (520V; 150°C; percentuale di guasto 0,01%).”
Grazie alla tecnologia “strain enhancement layer” di Innoscience, i dispositivi InnoGaN offrono una bassa resistenza specifica RDS(ON) unita a un valore dinamico RDS(ON) bassissimo e massima affidabilità. I nuovi dispositivi con valore RDS(on) da 80mΩ offrono inoltre importanti caratteristiche di tensione fra drain e source, sia transitoria (VDS, transient) sia pulsata (VDS, pulsed), rispettivamente di 800V e 750V. Inoltre, come gli altri prodotti a 650V, i nuovi dispositivi 80mΩ RDS(on) sono dotati di un efficace circuito di protezione ESD integrato nel “die” che agevola l’assemblaggio dei dispositivi nella produzione su larga scala, per quanto riguarda il package e la movimentazione. In questo caso specifico, il circuito ESD è stato modificato per ottenere un’oscillazione della tensione negativa sul gate più ampia, fino a -6V.
I nuovi transistor di potenza INN650D080BS con bassa resistenza RDS(on), disponibili in package DFN standard da 8x8, si uniscono ai componenti da 140mΩ,190mΩ, 240mΩ, 350 mΩ, 500mΩ e 600 mΩ RDS(on) annunciati in precedenza, creando una gamma completa di dispositivi che raggiungono valori RDS(on) sempre più bassi.
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