Per rispondere alle esigenze del mercato in termini di miglioramento dei fattori di forma e di efficienza energetica, Infineon ha sviluppato una nuova famiglia di MOSFET ad alta tensione CoolMOS PFD7, stabilendo un nuovo punto di riferimento nella tecnologia a supergiunzione (SJ) a 950 V.
La nuova serie da 950 V combina prestazioni e facilità d'uso presentando un diodo ultra-fast body integrato che garantisce un dispositivo robusto e, di conseguenza, una distinta base ridotta. Pensati per una densità di potenza elevatissima e per progetti ad altissima efficienza, i nuovi prodotti si rivolgono principalmente ai sistemi di illuminazione e alle applicazioni SMPS industriali e di consumo.
I nuovi prodotti sono adatti per progetti flyback, PFC e LLC/LCC, comprese le configurazioni half- o full-bridge che rendono la commutazione robusta e affidabile. Grazie all'integrazione di un diodo ultra-fast body con una carica di recupero inversa (Q rr) ultrabassa, questi prodotti offrono una robustezza e un'affidabilità di commutazione elevate. Ciò rende il MOSFET SJ estremamente robusto in questa classe di tensione, consentendone l'utilizzo in tutte le topologie delle applicazioni previste. Inoltre, le perdite di commutazione significativamente ridotte (E OSS, Q OSS e Q g) migliorano l'efficienza nelle applicazioni di commutazione hard e soft e consentono di ridurre la temperatura del MOSFET fino a 4°K rispetto al MOSFET SJ CoolMOS C3 da 900 V. I nuovi prodotti migliorano l'efficienza PFC alla luce e a pieno carico di oltre lo 0,2%, eguagliando al contempo le prestazioni in termini di efficienza LLC, contribuendo a un mondo più verde.
La nuova famiglia offre dispositivi con una resistenza di accensione (R DS(on)) inferiore fino al 55% in vari package SMD e THD, come 450 mΩ in DPAK o 60 mΩ in TO247. Ciò consente ai progettisti di utilizzare pacchetti più piccoli e di aumentare la densità di potenza e lo spazio su scheda, riducendo i costi di produzione e la distinta base. Una tensione di soglia gate-source (V (GS),th) di 3 V e una variazione minima di V (GS),th di ±0,5 V rendono i nuovi dispositivi facili da progettare e da pilotare, aumentando la libertà di progettazione. Grazie alla bassa tensione di soglia e alla tolleranza, si evita il funzionamento in modalità lineare dei MOSFET, consentendo una tensione di pilotaggio inferiore e una riduzione della perdita al minimo. Inoltre, una carica di gate migliorata del 60% rispetto al CoolMOS C3 consente di ridurre significativamente le perdite di pilotaggio. La robustezza ESD è garantita da un livello di human body model (HBM) di classe 2, che consente di ridurre i guasti legati alle ESD e di migliorare la resa produttiva.
