La crescente domanda di densità di potenza elevata sta spingendo gli sviluppatori ad adottare collegamenti a 1500 V DC nelle loro applicazioni per aumentare la potenza nominale per inverter e ridurre i costi del sistema. Tuttavia, i sistemi basati su 1500 V DC pongono anche maggiori sfide alla progettazione del sistema, come la commutazione rapida ad alta tensione DC, che in genere richiede una topologia multilivello. Ciò comporta una progettazione complicata e un numero relativamente elevato di componenti.
Per affrontare questa sfida, Infineon ha presentato il suo portafoglio CoolSiC ampliato con soluzioni ad alta tensione per fornire le basi per i sistemi fotovoltaici, di ricarica EV e di energy storage.
Il portafoglio CoolSiC ampliato offre MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 2 kV e un diodo SiC da 2 kV per applicazioni fino a 1500 V DC. Il nuovo MOSFET SiC combina basse perdite di commutazione ed elevata tensione di blocco in un unico dispositivo in grado di soddisfare in modo ottimale i requisiti dei sistemi a 1500 V DC. La nuova tecnologia CoolSiC da 2 kV offre un basso valore di resistenza di drain-source on (R DS(on)). Inoltre, il robusto corpo del diodo è adatto per le commutazioni di tipo "hard". La tecnologia consente un margine sufficiente di sovratensione e offre un tasso di caduta dieci volte inferiore a quello dei MOSFET SiC da 1700 V, causato dai raggi cosmici. Inoltre, l'estensione dell'intervallo operativo della tensione di gate rende i dispositivi facili da usare.
Questo nuovo chip SiC MOSFET si basa sull'avanzata tecnologia SiC MOSFET di Infineon denominata M1H, introdotta di recente. Gli ultimi progressi consentono una finestra di tensione di gate significativamente più ampia che migliora la resistenza di accensione per una data dimensione del die. Allo stesso tempo, la più ampia finestra di tensione di gate fornisce un'elevata robustezza contro i picchi di tensione al gate legati al driver e al layout, senza alcuna restrizione anche ad alte frequenze di commutazione. Infineon offre una gamma di gate driver EiceDRIVER con isolamento funzionale fino a 2,3 kV per supportare i MOSFET SiC da 2 kV.
