Toshiba Memory Europe ha sviluppato un prototipo di campione di un dispositivo di memoria BiCS FLASH a 96 strati, utilizzando la propria tecnologia flash proprietaria 3D con cella a quattro livelli (QLC), che incrementa la capacità di memoria su chip singolo al livello più alto mai raggiunto. La tecnologia QLC sta incrementando il numero di bit per i dati di ogni cella di memoria da tre a quattro, espandendone significativamente la capacità. Il nuovo prodotto raggiunge una massima capacità pari a 1,33 terabit per singolo chip, ed è stato sviluppato in collaborazione con Western Digital Corporation.
Esso inoltre consente di ottenere una capacità di 2,66 terabyte in un singolo package, utilizzando un’architettura costituita da 16 chip impilati. Gli enormi volumi di dati generati dai terminali mobili e simili continuano ad aumentare con la diffusione dei sistemi SNS e con il progresso dell’IoT, e l’esigenza di analizzare e di utilizzare i dati in tempo reale è destinata a crescere vertiginosamente. Ciò richiederà HDD sempre più veloci e maggiori capacità di archiviazione, e tali prodotti basati sulla tecnologia QLC, che utilizzano il processo a 96 strati, contribuiranno alla soluzione.
Toshiba Memory inizierà a consegnare i campioni ai produttori di SSD e di controllori di SSD per la valutazione dall'inizio di Settembre e prevede di iniziare la produzione in volumi nel 2019. Un prototipo del nuovo dispositivo alloggiato in un package sarà presentato in occasione del Flash Memory Summit a Santa Clara, in California, USA, in programma dal 6 al 9 Agosto. Guardando al futuro, Toshiba Memory continuerà a migliorare le prestazioni e la capacità delle memorie e a sviluppare memorie flash 3D in grado di soddisfare le esigenze diversificate del mercato, incluse quelle del mercato in rapida espansione dei data centre.
