Toshiba Electronics Europe ha introdotto un MOSFET duale caratterizzato da livelli elevati di protezione dalle ESD. Il nuovo SSM6N813R è pensato per l'utilizzo in applicazioni automotive robuste, compreso l'uso come IC driver per i fari LED, che richiedono il supporto a tensioni elevate e un ingombro ridotto.
Una tensione massima drain source (VDSS) di 100V rende l’SSM6N813R idoneo per le applicazioni di illuminazione che richiedono più LED, una capacità supportata grazie agli alti livelli di immunità alle ESD del dispositivo. Fabbricato usando un processo produttivo di ultima generazione, l’SSM6N813R è caratterizzato da una dissipazione di potenza massima di 1,5W e garantisce un funzionamento efficiente grazie alla bassa resistenza di on (RDS(ON)) di appena 112mΩ. I dispositivi sono in grado di supportare correnti di drain (ID) fino a 3,5A.
I MOSFET duali sono alloggiati in un minuscolo package TSOP6F che misura appena 2,9mm x 2,8mm x 0,8mm, delle stesse dimensioni di un package SOT23 e presentano un ingombro che è inferiore del 70% rispetto a quello di un package SOP8.
