Toshiba Electronics Europe ha introdotto un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 100V adatto per applicazioni negli apparecchi automotive come interruttori di carico, alimentatori a commutazione e azionamenti di motori.
Il nuovo XK1R9F10QB è il primo dispositivo disponibile della nuova serie di MOSFET U-MOS-H di Toshiba dotati di una struttura di trench, ed è fabbricato nel processo di ultima generazione dell'azienda.
Incapsulato all'interno di un package TO-220SM (W) a bassa resistenza, il componente offre livelli di resistenza di ON (RDS(on)) con un valore massimo di 1,92 mΩ con una VGS di 10V. Questo rappresenta un miglioramento/riduzione di circa il 20% rispetto ai dispositivi attuali come il TK160F10N1L e contribuisce così a ridurre il consumo di potenza e ad aumentare l'efficienza nelle applicazioni automotive. L'XK1R9F10QB presenta anche un rumore di commutazione ridotto, grazie all'ottimizzazione delle sue caratteristiche di capacità, che contribuisce a ridurre le EMI.
Il nuovo dispositivo è in grado di sopportare una tensione drain-source (VDSS) di 100V ed è progettato per una corrente continua di drain (ID) di 160A, o di 480A se impulsata (IDP). Il dispositivo può funzionare con una temperatura di canale di 175oC e presenta un’impedenza termica fra il canale e il case (Zth(ch-c)) inferiore a 0,4oC/W, con un miglioramento delle prestazioni termiche.
Il MOSFET XK1R9F10QB è qualificato in base allo standard AEC-Q101 per applicazioni automotive ed è liberamente disponibile un modello PSpice di ausilio nella simulazione rapida.
