Infineon, nuova generazione di IGBT prodotta su wafer da 12 pollici

Infineon Technologies AG lancia una nuova generazione IGBT da 1200 V: TRENCHSTOP IGBT6. Si tratta del primo duopack IGBT discreto sul mercato realizzato con dimensioni di wafer da 12 pollici. La nuova tecnologia IGBT è progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei clienti in termini di alta efficienza e densità di potenza elevata. La famiglia di prodotti è stata ottimizzata per l'uso in topologie di commutazione e risonanza che operano a frequenze di commutazione da 15 kHz a 40 kHz. Le applicazioni tipiche per l'IGBT6 sono gruppi di continuità (UPS), inverter solari, caricabatterie e accumulatore di energia.

Il TRENCHSTOP IGBT6 1200 V viene rilasciato in due famiglie. La serie S6 offre il miglior bilanciamento tra una bassa tensione di saturazione di V CE (sat) di 1,85 V e basse perdite di commutazione. La serie H6 è ottimizzata per basse perdite di commutazione. I test applicativi hanno confermato che la sostituzione diretta del predecessore Highspeed3 IGBT con la nuova serie IGBT6 S6 si traduce in un miglioramento dell'efficienza dello 0,2%. Il coefficiente di temperatura positivo consente il parallelismo semplice ed affidabile dei dispositivi. Inoltre, l'ottima controllabilità di Rg consente di regolare la velocità di commutazione dell'IGBT in base alle esigenze della rispettiva applicazione.

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