Il mercato dei veicoli elettrici continua a crescere, con una forte crescita dei volumi sia dei veicoli elettrici a batteria (BEV) che dei veicoli elettrici ibridi plug-in (PHEV). Si prevede che la quota di veicoli elettrici prodotti crescerà a due cifre entro il 2030, raggiungendo circa il 45%, rispetto al 20% del 2024. Infineon risponde alla crescente domanda di chip IGBT ad alta tensione per il settore automobilistico lanciando una nuova generazione di prodotti. Tra queste offerte figurano i chip EDT3 (Electric Drive Train, terza generazione), progettati per sistemi a 400 V e 800 V, e i chip RC-IGBT, specificamente progettati per sistemi a 800 V. Questi dispositivi migliorano le prestazioni dei sistemi di trasmissione elettrica, rendendoli particolarmente adatti alle applicazioni automobilistiche.
I bare die EDT3 e RC-IGBT sono stati progettati per offrire prestazioni affidabili e di alta qualità, consentendo ai clienti di creare moduli di potenza personalizzati. La nuova generazione di EDT3 rappresenta un significativo progresso rispetto all'EDT2, ottenendo perdite totali fino al 20% inferiori a carichi elevati, mantenendo al contempo l'efficienza a bassi carichi. Questo risultato è dovuto a ottimizzazioni che riducono al minimo le perdite del chip e aumentano la temperatura massima di giunzione, bilanciando le prestazioni a carichi elevati e l'efficienza a bassi carichi. Di conseguenza, i veicoli elettrici che utilizzano chip EDT3 raggiungono un'autonomia maggiore e riducono il consumo energetico, offrendo un'esperienza di guida più sostenibile ed economica.
"Grazie al nostro costante impegno per l'innovazione e la decarbonizzazione, la nostra soluzione EDT3 consente ai nostri clienti di ottenere risultati ideali nelle loro applicazioni", afferma Robert Hermann, Vicepresidente per i Chip ad Alta Tensione e i Componenti Discreti per il Settore Automotive di Infineon Technologies.
I chipset EDT3, disponibili nelle classi di tensione 750 V e 1200 V, erogano un'elevata corrente di uscita, rendendoli ideali per applicazioni inverter principali in un'ampia gamma di veicoli elettrici, inclusi veicoli elettrici a batteria, veicoli elettrici ibridi plug-in e veicoli elettrici ad autonomia estesa (REEV). Le dimensioni ridotte del chip e il design ottimizzato facilitano la creazione di moduli più piccoli, con conseguente riduzione dei costi complessivi del sistema. Inoltre, con una temperatura massima di giunzione virtuale di 185 °C e una tensione nominale massima collettore-emettitore fino a 750 V e 1200 V, questi dispositivi sono ideali per applicazioni ad alte prestazioni, consentendo alle case automobilistiche di progettare gruppi propulsori più efficienti e affidabili che possono contribuire ad aumentare l'autonomia di guida e ridurre le emissioni.
L'RC-IGBT da 1200 V migliora le prestazioni integrando le funzioni IGBT e diodo su un singolo die, offrendo una densità di corrente ancora maggiore rispetto alle soluzioni con chipset separati per IGBT e diodo. Questo progresso si traduce in un vantaggio in termini di costi di sistema, attribuito alla maggiore densità di corrente, alle dimensioni scalabili del chip e alla riduzione dello sforzo di assemblaggio.
La più recente tecnologia a chip IGBT EDT3 di Infineon è ora integrata nel modulo di potenza automotive HybridPACK Drive G2, offrendo prestazioni e funzionalità migliorate in tutto il portfolio di moduli. Questo modulo offre una gamma di potenza fino a 250 kW nelle classi di tensione 750 V e 1200 V, una maggiore facilità d'uso e nuove funzionalità, come l'opzione di integrazione per sensori di corrente di fase di nuova generazione e il rilevamento della temperatura on-chip, contribuendo a ridurre i costi di sistema.
Tutti i dispositivi a chip sono offerti con layout personalizzati, inclusi sensori di temperatura e corrente integrati. Inoltre, sono disponibili su richiesta opzioni di metallizzazione per sinterizzazione, saldatura e bonding.
