GaN Systems ha introdotto un evaluation kit a livello daughterboard per consentire ai progettisti di sistemi di potenza una facile valutazione dei GaN E-Hemt su una motherboard universale GS665MB-EVB. La famiglia di quattro daughterboard, che spazia da 750 W a 2500 W, consiste di due GaN System 650 V GaN Enhancement-mode Hemt con tutti i circuiti necessari quali half-bridge gate driver, alimentatori isolati, e un dissipatore opzionale per realizzare uno stadio di potenza a mezzo ponte ad alte prestazioni. La piattaforma può essere utilizzata come reference design ed evaluation tool, oppure come una soluzione pronta all'uso per una facile valutazione di sistema.
