Toshiba Electronics Europe ha lanciato i suoi primi MOSFET a canale N da 100 V per applicazioni automotive, disponibili nel minuscolo package SOP Advance (WF) a montaggio superficiale. Progettati specificamente per le moderne applicazioni di sistema a 48 V, i dispositivi sono adatti per l'uso nei convertitori boost per i generatori di avviamento integrati (ISG) e i fari a LED, oltre che per gli azionamenti dei motori, i regolatori di commutazione e gli interruttori di carico.
I dispositivi XPH4R10ANB e XPH6R30ANB migliorano l'efficienza dei sistemi automotive grazie alla loro bassa resistenza di ON (RDS(ON)). Infatti, l'XPH4R10ANB offre una resistenza pari ad appena 4,1 mΩ, che riduce significativamente le perdite di sistema. Entrambi i dispositivi sono alloggiati nel package SOP Advance (WF) che offre fianchi bagnabili. Questo minuscolo package è stato utilizzato in applicazioni automotive da 48 V e consente l'uso di tecniche di ispezione ottica automatizzata (AOI) per garantire la qualità dei giunti di saldatura.
Entrambi i dispositivi fanno parte della serie U-MOSVIII-H di Toshiba e offrono una tensione drain-source (VDSS) di 100 V e una temperatura di funzionamento massima di 175°C. L'XPH4R10ANB supporta una corrente di scarica continua massima di 70 A e di 210 A con segnali impulsati. Le specifiche del componente XPH6R30ANB sono rispettivamente 45 A e 135 A.
