ON Semiconductor propone una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da utilizzare in applicazioni particolarmente complesse dove densità di potenza, efficienza e affidabilità rivestono un ruolo chiave. Utilizzando i nuovi dispositivi SiC al posto dei tradizionali componenti in silicio nelle applicazioni di commutazione, i progettisti possono ottenere prestazioni nettamente migliori in applicazioni quali veicoli elettrici (EV), caricatori OBC (On Board Charger), inverter fotovoltaici, unità di alimentazione (PSU) per server, telecomunicazioni e gruppi di continuità (UPS - Uninterruptible Power Supply).
I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON Semiconductor, qualificati per l'uso industriale e conformi alle normative AECQ101 in vigore nel settore automobilistico, sono basati su un nuovo materiale ad ampia banda proibita (WBG – Wide Band Gap) che assicura prestazioni di commutazione più elevate e migliori caratteristiche termiche rispetto al silicio. Ciò comporta numerosi vantaggi tra cui maggiore efficienza a livello di sistema, aumento della densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) e diminuzione delle dimensioni e del peso del sistema.
Questa nuova generazione di MOSFET SiC adotta un progetto innovativo della cella attiva abbinato a un'avanzata tecnologia a film sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (RDS(on) x area attiva) per tensioni di breakdown di 650V.
I mod. NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 e NTH4L015N065SC1 sono caratterizzati dal più basso valore di RDS(on) (12 mOhm) nei package D2PAK7L e TO247. La tecnologia messa a punto da ON Semiconductor può vantare figure di merito ottimizzate per quel che riguarda le perdite di energia, garantendo così le migliori prestazioni nelle applicazioni industriali e automotive. Un resistore di gate (Rg) interno assicura una maggiore flessibilità in fase di progetto, eliminando la necessità di rallentare artificialmente i dispositivi per mezzo di resistori di gate esterni. Possibilità di resistere a sovratensioni transitorie (surge) più elevate, migliore risposta all'effetto valanga e maggiore resistenza nei confronti dei corto circuiti, contribuiscono a migliorare la robustezza, con conseguente aumento dell'affidabilità e della durata dei dispositivi.
I nuovi dispositivi, tutti di tipo a montaggio superficiale, sono disponibili in svariati package standard per uso industriale tra cui TO247 e D2PAK.
