IEGT Press Pack da 6500 V/2000 A per trasmissioni di potenza...
Toshiba lancia i dispositivi IEGT Press Pack da 6500 V/2000 A per trasmissioni di potenza DC ad alta tensione e azionamenti industriali
In produzione di massa il primo transistor Epc eGaN Gen 7
EPC avvia la produzione in serie dell'EPC2366, il primo della sua famiglia di transistor di potenza eGaN di settima generazione (Gen 7)
Alimentatori industriali TDK-Lambda HFE3500 da 3500 W
TDK Corporation annuncia la nuova serie di alimentatori industriali TDK-Lambda HFE3500 da 3500 W per montaggio a rack
Raddrizzatori ultraveloci: la spinta di elettrificazione e alta efficienza
Nel periodo 2025-2035 il mercato globale dei raddrizzatori ultraveloci passerà da 4,62 a 7,23 miliardi di dollari con una cagr del 4,58%.
Mosfet a doppio canale P, un mercato da 1,6 miliardi
I Mosfet a doppio canale P si preparano a vivere un decennio di forte espansione. La ricerca di Future Market Insights fotografa un mercato...
Da Epc un sistema di alimentazione per data center AI
I futuri data center dedicati alle applicazioni AI richiederanno sistemi di alimentazione dei rack su scala megawatt. Epc affronta la sfida.
VCSO per applicazioni mission-critical
Microchip Technology presenta la sua nuova famiglia 101765 di Voltage-Controlled SAW Oscillator (VCSO)
Littelfuse lancia il gate driver isolato IX3407B
Littelfuse lancia il gate driver isolato IX3407B per semplificare i progetti ad alta potenza, un nuovo driver a canale singolo con isolamento capacitivo da 2,5 kV
I dissipatori di calore di CTX Thermal Solutions
La tendenza verso l'elettrificazione è in crescita. CTX specifica tre fattori importanti per dissipatori di calore ad alta efficienza.
L’accumulo di carica nei supercondensatori
Le potenziali applicazioni dei supercondensatori continuano a crescere di pari passo con il progresso tecnologico. Uno sguardo sulla tecnologia
Filtri EMI da circuito stampato TDK-Lambda RGF
Filtri EMI per montaggio su scheda da 20 e 40 A, 80 Vdc di TDK, per alimentatori switching con elevate richieste di corrente d'ingresso
EPC, è il momento del transistor EPC2366
Il nuovo transistor di potenza in GaN da 40 V di EPC punta a sostituire i classici componenti in silicio a bassa tensione.
