Toshiba ha lanciato due nuovi MOSFET a canale N da 40 V per uso automotive che avranno un impatto reale sui progetti dei veicoli di prossima generazione. I modelli XPQR3004PB e XPQ1R004PB utilizzano il formato di package con piedini ad ala di gabbiano a grande profilo del transistor, denominato L-TOGL.
Grazie ai loro package L-TOGL e alle migliori caratteristiche di dissipazione del calore che ne derivano, i nuovi MOSFET Toshiba sono altamente ottimizzati per la gestione di correnti elevate. Ciascuno di essi presenta valori nominali di corrente di assorbimento elevati (400A per XPQR3004PB e 200A per XPQ1R004PB), oltre a valori di resistenza ON di riferimento nel settore (0,3mΩ per XPQR3004PB e 1mΩ per XPQ1R004PB).
Su questi dispositivi non è presente una post struttura interna (connessione a saldare). Il collegamento dei conduttori esterni e della sorgente è realizzato con un'innovativa clip in rame. L'uso di una struttura multi-pin per i conduttori di sorgente riduce la resistenza del contenitore (e le perdite associate) di circa il 70% rispetto al contenitore TO-220SM(W) esistente. La corrente di assorbimento (ID) di XPQR3004PB rappresenta un aumento del 60% rispetto all'attuale TKR74F04PB, alloggiato nel contenitore TO-220SM(W). Inoltre, lo spesso telaio in rame riduce notevolmente l'impedenza termica tra giunzione e involucro. È di 0,2°C/W per l'XPQR3004PB e di 0,65°C/W per l'XPQ1R004PB. Ciò facilita la dissipazione del calore, abbassa le temperature di esercizio e migliora l'affidabilità.
Destinati all'uso in applicazioni automotive impegnative con temperature fino a 175°C, XPQR3004PB e XPQ1R004PB sono entrambi qualificati AEC-Q101. I loro conduttori ad ala di gabbiano riducono le sollecitazioni di montaggio e consentono una facile ispezione visiva, contribuendo così a migliorare l'affidabilità del giunto di saldatura.
Se utilizzati in applicazioni automobilistiche ad alta corrente, come i relè a semiconduttore o i generatori di avviamento integrati (ISG), XPQR3004PB e XPQ1R004PB consentono di semplificare i progetti e di ridurre il numero di MOSFET necessari. Ciò significa che è possibile ridurre dimensioni, peso e costi.
