Il sell-off dei semiconduttori si allarga: bruciati 1.300 miliardi di dollari
Quello che martedì sembrava un contraccolpo isolato alla guidance di Samsung si è trasformato in una correzione settoriale su scala globale. Secondo Reuters, il calo cumulato dei titoli dei semiconduttori nell'ultima settimana ha bruciato circa 1.300 miliardi di dollari di capitalizzazione: l'indice Philadelphia Semiconductor cede il 10,8%, il VanEck Semiconductor ETF il 13% in dieci sedute, e Intel arriva a perdere oltre il 20% dai massimi recenti, con Micron e Samsung sotto pressione.
Le cause individuate dagli analisti non sono riconducibili alla domanda, che continua a mantenersi solida. A pesare sono piuttosto il crescente confronto con le valutazioni dell’era dot-com dei primi anni Duemila, l’orientamento più restrittivo della Federal Reserve sotto la presidenza di Kevin Warsh e i primi segnali di cautela sulla sostenibilità degli investimenti record in infrastrutture per l’intelligenza artificiale. In questo contesto si inserisce anche l’indiscrezione secondo cui Meta starebbe affittando capacità cloud AI in eccesso anziché impiegarla internamente.
Permangono tuttavia elementi di sostegno per il comparto: la capacità di memoria ad alta banda risulta già in gran parte allocata fino al 2027, gli utili del secondo trimestre 2026 dell’industria dei semiconduttori sono attesi in crescita del 131% secondo FactSet, mentre il rapporto prezzo/utili prospettico di Nvidia, pari a 21,7 volte, si colloca significativamente al di sotto della media quinquennale di 72 volte. Diversi analisti, tra cui Wedbush, interpretano la correzione in atto come un “reset di metà ciclo” piuttosto che come l’avvio di un’inversione strutturale. Le prossime trimestrali di TSMC e Intel saranno determinanti per verificare la tenuta di questa lettura.
SK Hynix fissa oggi il prezzo del collocamento Nasdaq da 28 miliardi
Nel mezzo della turbolenza, SK Hynix chiude oggi il collocamento delle sue ADR al Nasdaq, con il prezzo definitivo atteso in giornata e l'avvio delle contrattazioni fissato per domani, venerdì 10 luglio, sotto il ticker SKHY. Secondo Reuters, il collocamento chiuderà il libro ordini oggi pomeriggio a New York, con una domanda che resta solida nonostante la settimana difficile per il titolo a Seul, che pure oggi rimbalza del 3,1%, segnale che gli investitori distinguono tra il rumore di breve termine sul sell-off tecnologico e la tesi di fondo sulla scarsità strutturale di memoria avanzata.
Il collocamento – tra i più grandi mai realizzati sul Nasdaq dopo la quotazione di SpaceX di giugno – prevede la vendita di 17,79 milioni di nuove ADR con un prezzo di riferimento di 242.500 won, calcolato sulla chiusura di Seul del 3 luglio; tre investitori cornerstone — Baillie Gifford Overseas e fondi gestiti da Coatue Management e Situational Awareness Partners — hanno già manifestato interesse per 7 miliardi di dollari complessivi. È significativo che SK Hynix scelga di raccogliere capitale fresco sul mercato azionario invece di indebitarsi, pur generando da sola 85,8 miliardi di dollari di ricavi negli ultimi dodici mesi: Una decisione che gli osservatori interpretano come un tentativo di ridurre il tradizionale sconto di valutazione che penalizza i titoli coreani rispetto ai concorrenti statunitensi, oltre che di finanziare i 7,8 miliardi di dollari necessari per l’acquisto degli scanner EUV di ASML destinati alla produzione di HBM4.
Wolfspeed cita in giudizio Navitas per violazione di brevetti GaN e SiC
Wolfspeed ha depositato martedì presso il tribunale distrettuale del Delaware una causa per violazione di brevetto contro Navitas Semiconductor, sostenendo che un'ampia gamma di prodotti dell'azienda — le famiglie di FET al nitruro di gallio GaNFast, GaNSlim e GaNSafe, oltre ai MOSFET GeneSiC e ai moduli di potenza SiCPAK — violi cinque brevetti statunitensi alla base del proprio portafoglio su GaN e carburo di silicio. Secondo TrendForce, Wolfspeed chiede al tribunale non solo il riconoscimento della violazione e il risarcimento dei danni, ma anche un'ingiunzione permanente che vieti la produzione, l'importazione e la vendita negli Stati Uniti di tutti i prodotti Navitas coinvolti — lo stesso tipo di rimedio, il divieto d'importazione, al centro del contenzioso Infineon-Innoscience di cui ci siamo occupati nei giorni scorsi.
Navitas non ha ancora risposto pubblicamente alle accuse. Il titolo ha chiuso in calo dell'8,14% nella seduta di annuncio, mentre Wolfspeed ha perso l'8,79% nonostante fosse la parte attrice, segno che il mercato guarda con preoccupazione ai costi di un contenzioso prolungato per entrambe le aziende. Il caso si inserisce in una tendenza che il cluster ha già segnalato: con il GaN e il SiC diventati tecnologie abilitanti per veicoli elettrici, ricarica rapida e conversione di potenza industriale, i produttori storici come Wolfspeed ed Infineon stanno usando i propri portafogli brevettuali come barriera competitiva contro concorrenti fabless più agili come Navitas, spostando parte della competizione dal prodotto al tribunale.
Un laboratorio congiunto in Germania per i substrati di nitruro di alluminio
Sul fronte dei materiali per l'elettronica di potenza, il Fraunhofer IISB di Erlangen e PVA TePla hanno annunciato mercoledì la costituzione di un laboratorio congiunto per la produzione di cristalli di nitruro di alluminio (AlN), un semiconduttore a bandgap ultra-largo considerato tra i più promettenti per l'elettronica di potenza e a radiofrequenza di prossima generazione, oltre che per la fotonica. Secondo il comunicato Fraunhofer, è la prima iniziativa in Europa a rendere disponibile, con supporto industriale, la produzione in piccoli lotti di substrati AlN monocristallini da 2 pollici per attività di ricerca e sviluppo, con l'obiettivo dichiarato di arrivare a substrati da 4 e poi 6 pollici.
Il laboratorio utilizza la tecnologia proprietaria di trasporto fisico in fase vapore (PVT) del Fraunhofer IISB, con gli impianti forniti da PVA TePla — la stessa azienda che già equipaggia le linee mondiali per cristalli di carburo di silicio da 8 pollici. Al di là del dato tecnico, l'iniziativa dichiara esplicitamente un obiettivo di politica industriale: ridurre la dipendenza europea dai fornitori extra-UE di materiali critici per i semiconduttori di potenza e rafforzare quella che i due partner definiscono "sovranità tecnologica" nel comparto. È lo stesso tipo di logica, applicata questa volta a un materiale ancora in fase preindustriale, che ha già motivato l'espansione della fab Infineon di Dresda raccontata in una rassegna precedente.
Infineon fornisce MOSFET CoolSiC ad ADVANTICS per la ricarica megawatt
Infineon ha comunicato mercoledì la fornitura di MOSFET CoolSiC da 1200V e dei relativi driver di gate EiceDRIVER 2EDB9259Y a Infineon, l'azienda francese ADVANTICS, specializzata in elettronica di potenza al carburo di silicio, per una nuova linea di convertitori raffreddati a liquido destinati ai sistemi di ricarica megawatt (MCS) per mezzi pesanti e imbarcazioni. La piattaforma di ADVANTICS, basata su moduli modulari da 100 kW scalabili fino alla classe megawatt, offre funzionamento bidirezionale, tensioni fino a 1500V ed efficienza di picco del 98,5%.
La ricarica megawatt punta a tempi di rifornimento fino a dieci volte più rapidi rispetto agli standard attuali, un requisito ritenuto necessario per l'elettrificazione di trasporto pesante, cave minerarie e trasporto marittimo, settori finora difficili da decarbonizzare per l'inadeguatezza delle infrastrutture di ricarica esistenti. È un tassello ulteriore della stessa narrazione già seguita per il carburo di silicio nell'automotive: la tecnologia si allarga dal veicolo elettrico leggero verso applicazioni industriali a potenza molto più elevata.
(E.L.)
