X-FAB Silicon Foundries SE ha annunciato l'intenzione di raddoppiare la capacità di processo relativa al silicio al carburo (SiC) da 6 pollici presso il suo stabilimento di Lubbock, in Texas, in risposta all'aumento della domanda dei clienti di dispositivi a semiconduttore di potenza ad alta efficienza. In preparazione per il raddoppio della capacità, X-FAB Texas ha acquistato un secondo implanter di ioni riscaldato da utilizzare nella produzione di wafer SiC da 6 pollici. La consegna di questo implanter di ioni riscaldato è prevista per la fine del 2018 e la produzione è prevista per il primo trimestre del 2019 in tempo utile per soddisfare la domanda prevista a breve termine.
I vantaggi delle capacità di processo SiC da 6 pollici di X-FAB per i semiconduttori di potenza includono funzionamento ad alta tensione, riduzione del transistore su resistenza significativamente inferiore, perdite di trasmissione e commutazione significativamente più basse, funzionamento ad alta temperatura esteso fino a 400°F/204°C, superiore conducibilità termica, funzionamento ad altissima frequenza e capacità parassita inferiore. Le funzionalità di processo SiC di X-FAB consentono ai clienti di realizzare dispositivi semiconduttori di potenza ad alta efficienza, tra cui MOSFET ad alta potenza, JFET e diodi Schottky.
I sistemi con dispositivi di alimentazione SiC beneficiano di dimensioni e peso ridotti del sistema e poiché dissipano meno calore sono significativamente più efficienti rispetto alle tecnologie di semiconduttori di potenza simili. Queste caratteristiche sono importanti per la commutazione di alimentatori e convertitori di potenza presenti nei veicoli elettrici, nelle turbine eoliche e nei convertitori solari. Il funzionamento ad alta temperatura migliora l'affidabilità, specialmente in applicazioni industriali calde come aerei, auto da corsa EV e locomotive. Dimensioni e peso del sistema ridotti sono importanti nelle apparecchiature mediche portatili e nei veicoli ibridi (PHEV).
