STMicroelectronics e Soitec hanno annunciato oggi una collaborazione congiunta che porterà allo sviluppo della tecnologia BSI (BackSide Illumination) a livello di wafer da 300 mm, per la prossima generazione di sensori di immagine destinati ai prodotti di elettronica di consumo. La risoluzione dei più recenti e sofisticati sensori di immagine continua ad aumentare, mentre vi è una fortissima richiesta di ridurre le dimensioni complessive del modulo di fotocamera. Ciò significa che è necessario sviluppare pixel con dimensioni individuali sempre più piccole ma senza diminuirne la sensibilità, in modo da generare immagini di qualità elevata.
La tecnologia BSI è fondamentale per affrontare queste sfide nello sviluppo della prossima generazione di sensori di immagine. L'accordo tra le due aziende prevede la concessione alla ST, da parte di Soitec, della licenza per la tecnologia di bonding Smart Stacking per la produzione di sensori BSI su wafer da 300 mm. Questa tecnologia si basa su sistemi di assottigliamento chimici e meccanici e su legami molecolari. ST svilupperà, presso la propria linea da 300 mm a Crolles in Francia, una nuova generazione di sensori di immagine basati sulla propria sofistica tecnologia di processo Cmos derivata, con geometrie da 65 nm e oltre.
