ROHM rende disponibili sei nuovi MOSFET SiC a struttura trench gate (650 V/1200 V), vale a dire la serie SCT3xxx xR-Serie, ideale per alimentatori per server, sistemi UPS, inverter per fotovoltaico e stazioni di ricarica per veicoli elettrici che necessitano di elevata efficienza. La serie SCT3xxx xR si avvale di un package a 4 pin (TO-247-4L) che massimizza la prestazione di commutazione, rendendo possibile la riduzione della perdita di commutazione fino al 35% rispetto ai tipi di package a 3 pin convenzionali (TO-247N) e contribuendo al calo del consumo di potenza in un gran numero di applicazioni.
Con i package a 3 pin convenzionali (TO-247N), infatti, la tensione di gate effettiva al chip si riduce per la tensione caduta attraverso l'induttanza parassita del terminale sorgente. È questo il motivo del calo della velocità di commutazione. L'adozione del package TO-247-4L a 4 pin vede la separazione del driver e dei pin della fonte di alimentazione, riducendo al minimo gli effetti della componente dell'induttanza parassita.
ROHM propone anche soluzioni che agevolano la valutazione delle applicazioni, compresa un'evaluation board per MOSFET SiC, mod. P02SCT3040KR-EVK-001, munita di circuiti integrati per gate driver (BM6101FV-C) unitamente a circuiti integrati di potenza multipli e a componenti discreti ottimizzati per il pilotaggio di dispositivi SiC.
La serie SCT3xxx xR comprende sei modelli, caratterizzati da una tensione di scarica disruptiva o di 650 V (3 prodotti) o di 1200 V (3 prodotti).
