Gli investimenti nei semiconduttori power a microonde Rf continuano a svilupparsi, da quando la disponibilità dei nuovi dispositivi a GaN (Gallium Nitride), da 4 fino a 18 GHz, è diventata più ampia. Le comunicazioni point-to-point, quelle di tipologia SatCom (Satellite Communication), i radar di ogni tipo e le nuove applicazioni industriali e medicali beneficeranno tutte della introduzione di questi dispositivi GaN ad alta potenza. “Mentre i dispositivi a GaAs (Gallium Arsenide) costituiscono attualmente il nocciolo duro del power Rf a microonde, è il nitrito di gallio che nel prossimo futuro condurrà lo sviluppo”, ha commentato il direttore di ABI Research, Lance Wilson. “Il GaN è infatti capace di operare a più alti livelli di tensione e di potenza, che risultava difficile o addirittura impossibile raggiungere utilizzando il GaAs”.
