La tecnologia SiC entra in Formula E

Rohm Semiconductor ha presentato la sua innovativa tecnologia SiC al carburo di silicio in occasione della prima gara della stagione 2016/2017 di Formula E svoltasi a Hong Kong. All’inizio della terza stagione il produttore giapponese è diventato sponsor e partner ufficiale del team Venturi. L’interessante collaborazione tra Rohm e Venturi in Formula E svela il segreto del successo delle monoposto elettriche: il power management. La sfida tecnologica della Formula E è quella di trovare il modo più efficiente per sfruttare l’energia fornita dalla batteria e utilizzarla sulla strada. A questo scopo Rohm ha sviluppato dispositivi di potenza basati su di una nuova tecnologia che utilizza il carburo di silicio, un materiale che, rispetto al silicio tradizionale, è in grado di resistere a campi elettrici molto elevati, con perdite estremamente basse e una maggiore resistenza alle alte temperature. Rohm e Venturi puntano a guadagnarsi un netto vantaggio rispetto alla concorrenza e, allo stesso tempo, di incoraggiare lo sviluppo di nuove soluzioni tecniche mirate a rendere la conversione di potenza più efficiente. L’inverter utilizzato nella terza stagione è dotato di diodi Schottky SiC e pesa 2 kg in meno rispetto a quello della seconda stagione. Il rendimento elettrico è stato migliorato dell’1,7%, mentre il volume dei componenti per l’estrazione del calore è stato ridotto del 30%. Nella quarta stagione l’inverter monterà anche Mosfet SiC, e presenterà ulteriori miglioramenti.

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