La diffusione dei wafer GaN-on-Si (Gallium Nitride-on-Silicon) nel mercato dei Led (Light-Emitting Diode), secondo quanto scrive un report di IHS, sembra destinata ad aumentare a un Cagr del 69% tra il 2013 e il 2020, data entro la quale questi ultimi dovrebbero costituire il 40% di tutti i Led GaN prodotti. L'anno scorso, il 95% dei Led GaN sono stati prodotti su wafer di zaffiro, e l'1% su wafer di silicio; lo sviluppo della produzione dei Led GaN-on-Si, pertanto, ruberà quote di mercato sia ai wafer di zaffiro sia a quelli di carburo di silicio. Trasformare gli stabilimenti per consentire il passaggio ai Led GaN-on-Si, inoltre, richiede generalmente investimenti minimi; le aziende che in precedenza producevano semiconduttori Cmos possiedono infatti già delle unità per la fabbricazione di Cmos da 8 pollici, che possono essere riutilizzati per la produzione di Led con leggere modifiche, oltre ad avere le competenze e le tecnologie associate con questi processi, basati sull'uso del silicio.
