I ricercatori dell'Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (Imm) di Catania, in collaborazione con il SuperSTEM Lab di Daresbury (Gran Bretagna), hanno scoperto la possibilità di creare uno strato di “vero” grafene (dotato cioè di tutte le sue eccezionali proprietà fisiche) su un normale substrato di carburo di silicio. Normalmente, durante la crescita epitassiale del grafene su SiC planare si ha la formazione di un primo monostrato di carbonio all'interfaccia, denominato “buffer layer”, che non possiede le eccezionali proprietà fisiche ed elettroniche del grafene, essendo parzialmente legato agli atomi di silicio del substrato. Lo studio condotto dall'Imm ha rivelato per la prima volta che, manipolando opportunamente l'orientazione della superficie del SiC, è possibile esporre delle facce sulle quali la crescita procede senza la generazione del buffer layer, pertanto il primo strato assume tutte le proprietà del grafene. La scoperta faciliterà lo sfruttamento di questo promettente materiale, poiché le tecnologie del carburo di silicio hanno già raggiunto un buon livello di maturità.
