Dispositivi basati sull’ultima generazione di processo Trench

Toshiba ha annunciato nuovi Mosfet di potenza da 40 V e da 60 V basati sul processo trench U-MOS-IX-H su semiconduttore di ultima generazione. I Mosfet TK3R1P04PL, TK4R4P06PL e TK6R7P06PL a canale N possono essere pilotati da livelli logici a 4,5 V e offrono valori nominali massimi di resistenza di on di appena 3,1 mΩ. Forniti in un package compatto Dpak, i dispositivi sono ideali per le applicazioni di conversione di potenza, inclusi i convertitori Ac/Dc e Dc/Dc, gli alimentatori e gli azionamenti per motori. Il dispositivo TK3R1P04PL è un Mosfet da 40 V con una RDS(ON) massima di 3,1 mΩ e un valore nominale massimo di corrente di drain (ID) di 58 A (a una temperatura di 25°C). Il TK4R4P06PL e il TK6R7P06PL da 60 V hanno rispettivamente una RDS(ON) massima e una Imassima di 4,4 mΩ e 58 A e di 6,7mΩ e 46 A. Tutti i nuovi Mosfet sono progettati per operare con una bassa carica in uscita per ottimizzare ulteriormente l'efficienza e le prestazioni.

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