Commutazione ultra-rapida nell’elettronica di potenza

Littelfuse ha presentato la sua prima serie di Mosfet in carburo di silicio, l'ultima novità nella linea di semiconduttori di potenza dell'azienda, che è in continua espansione. A marzo Littelfuse ha compiuto un altro passo avanti verso la leadership di settore nel campo dei semiconduttori di potenza grazie a un investimento di maggioranza nella rispettata azienda di sviluppo della tecnologia SiC, Monolith Semiconductor. La serie LSIC1MO120E0080, con un valore nominale di tensione di 1200 V e bassissima resistenza (80 mΩ), è il primo Mosfet SiC progettato, sviluppato e prodotto in serie che sarà generato da questa collaborazione. Il dispositivo è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta frequenza e presenta una combinazione di perdite di commutazione bassissime e velocità di commutazione altissime senza precedenti nelle soluzioni tradizionali di transistor di potenza.

Se la si confronta con dispositivi in silicio con il medesimo valore nominale, la serie di Mosfet SiC consente un'efficienza energetica decisamente maggiore, spazio e peso del sistema ridotti e una maggiore densità di potenza in sistemi di elettronica di potenza. Offre inoltre il massimo della solidità e prestazioni eccezionali, anche a temperature di funzionamento elevate (150 °C). 

Le applicazioni tipiche per questi Mosfet SiC includono sistemi di conversione di potenza come invertitori solari, alimentatori in modalità di commutazione, gruppi di continuità, unità di motori, convertitori Cc/Cc ad alta tensione, caricatori per batterie e riscaldamento a induzione.

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