Alte prestazioni per il power management

IN VETRINA A PCIM2014 –

Tra le diverse novità disponibili alla stand di Rohm Semiconductor in occasione del PCIM di Norimberga, regolatori Ldo standard ad alta efficienza per l’automotive, diodi Fast Recovery di terza generazione e SiC Trench Mosfet di terza generazione.

In occasione del PCIM di Norimberga, Rohm Semiconductor ha presentato molte novità orientate al power management: frutto delle ricerche più avanzate in termini di materiali, tecniche di packaging e di produzione, in grado di soddisfare le richieste sempre più pressanti di efficienza energetica, miniaturizzazione, durata e riduzione di componenti e costi, pur garantendo livelli ottimali di prestazioni.

Ldo ad alta efficienza per applicazioni automotive

Rohm ha a catalogo una vasta linea di regolatori standard a bassa caduta certificati per applicazioni automotive che, per le loro caratteristiche di basso assorbimento, alta efficienza, alta resistenza alla tensione e ampio campo di temperatura (da -40 a +125°C), consentono la massima flessibilità di progetto. Queste prerogative ne fanno la scelta ideale per applicazioni di potenza nel settore automotive, quali cluster, controllo della climatizzazione, radio o navigazione.

Diodi Fast Recovery di terza generazione

La società ha anche introdotto una vasta e completa famiglia di diodi fast recovery ad alta affidabilità, in grado di soddisfare molteplici esigenze di progetto. Due nuove serie sono state aggiunte ai tipi standard e soft recovery, con prestazioni ottimizzate per diverse applicazioni: di queste, la prima è la RFNL, caratterizzata da soft recovery e una Vf estremamente bassa, indirizzata ad impieghi con potenza da 200-300 W come televisori, personal computer ed elettrodomestici. La RFV, invece, si distingue per l'alta velocità di commutazione e l'hard recovery, e risulta particolarmente indicata per l'utilizzo in condizioni di alta potenza come gruppi di continuità, condizionatori e moduli industriali.

SiC Mosfet Trench Gate
di terza generazione

Già presente sul mercato come fornitore di SiC Mosfet dal 2010, Rohm inizierà quest'anno la produzione di nuovi Mosfet in struttura Trench Gate, con una on-resistance dimezzata nell'intero range di temperatura rispetto ai suoi convenzionali Mosfet planari. Ovviamente conservando l'alta stabilità dovuta al Gate oxide film e al Body Diode che caratterizza la seconda generazione di SiC Mosfet di Rohm. Ne risultano perdite in commutazione estremamente basse, e una aumentata capacità di portare corrente pur mantenendo dimensioni contenute.

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