Le prime H200 arrivano in Cina, ma restano bloccate a Hong Kong
ByteDance e Tencent hanno ricevuto nelle ultime settimane circa diecimila acceleratori Nvidia H200 ciascuno: sono le prime consegne di rilievo sulla Cina continentale dopo il via libera dell'amministrazione Trump del dicembre 2025. Il volume corrisponde a circa il 2,5% delle oltre quattrocentomila unità complessivamente approvate a gennaio per ByteDance, Alibaba e Tencent, a fronte di un tetto di licenza fissato da Washington intorno alle centomila unità per ciascuno dei dieci gruppi autorizzati.
Il vincolo determinante non è però americano. Pechino impone che la maggior parte delle allocazioni licenziate resti fisicamente a Hong Kong, dove l'intero parco installato conta 47 data center per circa 581 MW: una capacità insufficiente a ospitare i volumi autorizzati, e il cluster della Northern Metropolis non entrerà in servizio prima del 2029. Ogni acquisto resta inoltre soggetto ad autorizzazione caso per caso della National Development and Reform Commission.
Nvidia, secondo le ricostruzioni, detiene a magazzino circa mezzo milione di H200 costruite per il mercato cinese. Lenovo e i partner di canale hanno già comunicato ai clienti locali la possibilità di riaprire gli ordini. (Tom's Hardware, Business Standard, Engadget).
Il sell-off prosegue a Wall Street, ma i rendimenti rientrano
Dopo la seduta del 18 agosto, chiusa con il settore a meno 5,5% sulla spinta dei rendimenti trentennali oltre il 5,33%, e il contagio asiatico del 19 con il Kospi a meno 6,39%, la giornata americana del 19 agosto introduce un elemento nuovo. Broadcom ha perso il 5% a 361,73 dollari, Intel e AMD il 4% rispettivamente a 93,12 e 465 dollari, l'ETF VanEck Semiconductor l'1,22%; ma Nvidia è rimasta ferma a 219,54 dollari e il decennale americano è rientrato di cinque punti base al 4,65%. Venuto meno l'innesco obbligazionario, la vendita resta concentrata sull'hardware per l'intelligenza artificiale: non più avversione al rischio generalizzata, ma riposizionamento settoriale.
Intel e AMD arrivavano da progressi da inizio anno rispettivamente del 162% e del 126%, e la prossimità dei conti Nvidia del 26 agosto ha reso conveniente alleggerire le posizioni. A sostenere Nvidia hanno contribuito la riapertura cinese sulle H200 e la nota di Bank of America, secondo cui il titolo tratta con uno sconto del 40-50% rispetto ai comparabili sul calcolo per l'intelligenza artificiale. (24/7 Wall St., Bloomberg).
Ottanta trimestrali: il quadro aggregato oltre i grandi nomi
Il censimento trimestrale di Semiconductor Engineering copre ottanta società: settantotto hanno chiuso in crescita, undici hanno più che triplicato il fatturato annuo e soltanto due sono rimaste in territorio negativo. Al di là dei risultati dei grandi gruppi, già noti, il dato interessante riguarda la seconda fascia della memoria: Nanya Technology segna un più 684,2% e Kioxia un più 415,5%, entrambe trainate dal recupero dei prezzi NAND. Il perimetro della crescita resta HBM, data center e acceleratori, mentre consumer e telefonia restano disomogenei.(Semiconductor Engineering).
Coherent campiona substrati SiC da 300 mm per la gestione termica
Coherent ha avviato la fornitura di campioni di substrati in carburo di silicio da 300 mm ad alta conducibilità termica ai principali sviluppatori di silicio per intelligenza artificiale, portando la piattaforma dallo sviluppo interno alla validazione presso i clienti. Il materiale promette un miglioramento fino al 25% nella diffusione del calore rispetto alle soluzioni correnti, mantenendo la compatibilità con le linee di produzione esistenti; il posizionamento è sugli heat spreader di nuova generazione per processori AI e HPC.
"Le prestazioni dell'intelligenza artificiale sono sempre più limitate dalla capacità del settore di rimuovere il calore dai processori di prossima generazione", ha dichiarato Craig Mullaney, senior vice president e general manager di Coherent. L'azienda controlla internamente crescita del cristallo, taglio, lucidatura e caratterizzazione. (Semiconductor Today).
HexSeed: rivestimento in diamante su GaN di potenza
La britannica HexSeed Technology ha raccolto oltre 600 mila sterline in un round guidato da Carbon13, con Net Zero Technology Centre e Vento Ventures, cui si aggiunge un Partnership Grant provvisorio di Innovate UK. La società, fondata a fine 2025, sviluppa un processo al plasma a microonde che deposita rivestimenti in diamante su dispositivi di potenza in nitruro di gallio già finiti, a bassa temperatura e senza danneggiare la struttura. Il miglioramento della gestione termica si traduce in densità di potenza più elevate e vita utile più lunga.
Il mercato di riferimento iniziale è la conversione di potenza per i data center. "I data center sono destinati a consumare una quota significativa della capacità di rete del Regno Unito entro il decennio, e gran parte di quell'energia si perde in calore nella conversione", ha osservato l'amministratore delegato Mark Tandy. Il gruppo collabora con l'Università di Bristol. (Semiconductor Today).
Il calcolo per l'intelligenza artificiale diventa eterogeneo
L'architettura dei data center per l'intelligenza artificiale si sta muovendo verso cluster eterogenei che combinano CPU, GPU, NPU e acceleratori dedicati, con la separazione fisica delle fasi di inferenza: prefill su unità a forte intensità di calcolo, decode su hardware diverso, esecuzione su cluster orientati agli agenti, collegati via Ethernet o protocolli ottici. Il consumo energetico resta il vincolo principale, seguito dall'efficienza per token.
Le topologie divergono a seconda del carico — il tensor parallel poggia su operazioni di all-reduce, il pipeline parallel su collegamenti punto-punto — e questo sposta le decisioni critiche alla fase di progettazione del cluster. L'interconnessione ottica emerge come frontiera successiva a Ethernet e InfiniBand per ridurre la dissipazione e aumentare la banda. (Semiconductor Engineering).
Lumentum supera il miliardo di ricavi trimestrali sulla fotonica per data center
Lumentum ha chiuso il quarto trimestre fiscale 2026 con ricavi per 1,006 miliardi di dollari, più che raddoppiati rispetto ai 481 milioni dell'anno precedente, e un esercizio a 3,014 miliardi (più 83,2%). La divisione componenti ha raddoppiato a 649,4 milioni sulla domanda di laser EML e a onda continua per data center, con nuovi record di spedizione sui prodotti 100G e 200G; la divisione sistemi è cresciuta del 122,6% a 356,9 milioni grazie ai moduli transceiver cloud e agli optical circuit switch. Il margine lordo è salito al 50,4%, quello operativo al 36,6%.
La guidance per il primo trimestre fiscale 2027 indica ricavi fra 1,225 e 1,275 miliardi, oltre il 130% su base annua e 250 milioni sopra le indicazioni fornite a marzo. "Con carichi di lavoro che crescono in velocità e banda, gli architetti dei data center si rivolgono ai collegamenti ottici come mezzo primario di connettività", ha dichiarato l'amministratore delegato Michael Hurlston. (Semiconductor Today).
La Scozia finanzia l'unica fonderia SiC britannica
Clas-SiC Wafer Fab, con sede a Lochgelly nel Fife e unica fonderia commerciale britannica dedicata al carburo di silicio, ha ottenuto un Capital Grant da 1,9 milioni di sterline da Scottish Enterprise all'interno di un piano di investimento complessivo da 12 milioni. Le risorse sono destinate all'aggiornamento di tecnologie e impianti e alla formazione del personale di produzione e degli apprendisti, a fronte della domanda di dispositivi di potenza in SiC per veicoli elettrici ed energie rinnovabili.
Il supercluster scozzese delle tecnologie critiche genera 4,5 miliardi di sterline di fatturato annuo e occupa oltre undicimila persone; l'obiettivo dichiarato dal governo è portarlo a 10 miliardi entro il 2035 con 6.600 addetti aggiuntivi. (Semiconductor Today).
Il mercato dei dispositivi di potenza per veicoli elettrici verso 14,5 miliardi
Secondo Yole Group il mercato dei dispositivi di potenza per xEV raggiungerà 14,5 miliardi di dollari nel 2031, con un tasso composto del 14% a partire dal 2025. Gli IGBT in silicio resteranno dominanti in valore assoluto attorno ai 7 miliardi, ma i MOSFET in SiC cresceranno al 21,5% annuo trainati dal segmento elettrico cinese, mentre gli HEMT in GaN, pur restando di nicchia, viaggiano attorno al 90% di crescita composta. La transizione dalle architetture a 400 V a quelle a 800 e 1.000 V spinge i segmenti sopra 1,2 kV al 27,4% annuo.
Gli analisti segnalano inoltre l'integrazione verticale in corso presso costruttori e fornitori di primo livello e la costruzione, da parte cinese, di una filiera dell'elettronica di potenza autosufficiente.
Michael Robbins alla guida della SIA dal 1º ottobre
La Semiconductor Industry Association ha nominato Michael Robbins presidente e amministratore delegato con decorrenza 1º ottobre 2026. Robbins, oggi al vertice della Association for Uncrewed Vehicle Systems International, succede a John Neuffer, che resterà in carica fino a settembre per accompagnare il passaggio dopo quasi dodici anni alla guida dell'associazione. Il curriculum comprende la fondazione della società di consulenza Intrepid, incarichi di relazioni istituzionali presso l'Air Line Pilot Association e un decennio come capo di gabinetto del deputato John D. Dingell.
"Entra in un momento importante per la nostra industria, perché i semiconduttori non sono mai stati così essenziali per l'economia globale", ha commentato Lisa Su, presidente di AMD e chair del board SIA per il 2026. (SIA).
