Tre mosse indipendenti raccontano la stessa risposta strutturale alla domanda di calcolo AI: gli hyperscaler diversificano la fonderia, i produttori logici cercano nuove leve di densità sui nodi avanzati, i produttori di memoria spostano capacità verso i poli sostenuti dai governi. Nessuna delle tre notizie condivide azienda o Paese, ma tutte convergono sullo stesso vincolo: la capacità disponibile resta corta rispetto alla domanda, e ogni attore prova a ridurre la propria dipendenza da un unico fornitore o da un'unica geografia.
Meta tratta con Samsung Foundry per gli MTIA di terza generazione
Secondo quanto riportato dal quotidiano economico coreano Sedaily, Meta Platforms starebbe negoziando con Samsung Foundry un accordo superiore ai 6,5 miliardi di dollari per la produzione della terza generazione del Meta Training and Inference Accelerator, il processore proprietario che l'azienda utilizza per i carichi di training e inferenza AI. I chip verrebbero realizzati sul processo a 2 nanometri di Samsung, segnando un allontanamento da TSMC, che ha prodotto le prime due generazioni dell'acceleratore. Meta punta a introdurre un nuovo chip AI ogni sei mesi nell'ambito dell'obiettivo dichiarato di raggiungere cinque gigawatt di capacità nei propri data center entro il 2030, e lo sviluppo procederebbe in collaborazione con la divisione System LSI di Samsung.
Per Samsung l'eventuale accordo rappresenterebbe la seconda commessa di rilievo sul 2 nanometri dopo quella riportata con Tesla, valutata attorno ai 16,5 miliardi di dollari, e si affiancherebbe alle trattative in corso con Anthropic per un chip AI proprietario sullo stesso nodo, di cui questa testata ha già dato conto nella rassegna del 3 luglio. Né Meta né Samsung hanno confermato ufficialmente i termini dell'operazione, che al momento resta un'indiscrezione di fonte coreana.
Intel valuta il Dual-Side Power Delivery per il nodo 14A
Per aumentare la densità dei transistor e restare competitivo su TSMC e Samsung, Intel starebbe considerando l'adozione della tecnologia Dual-Side Power Delivery, l'erogazione di potenza su entrambi i lati del wafer, per il futuro nodo 14A, secondo quanto riportato da TrendForce. La soluzione dovrebbe ridurre le interferenze elettriche e migliorare l'efficienza energetica dei chip di prossima generazione, un requisito che diventa sempre più stringente mano a mano che gli acceleratori AI spingono verso densità di potenza più elevate.
Il nodo 14A resta il riferimento su cui Intel punta per la produzione di rischio nel 2028, con Tesla come primo cliente annunciato per il complesso Terafab di Austin, mentre il nodo 18A è già in rampa con Clearwater Forest, come raccontato nella copertura del Computex 2026.
Micron rompe la terra a Hiroshima per l'HBM
Micron ha avviato venerdì la costruzione di un ampliamento del proprio stabilimento di Hiroshima, in Giappone, con un investimento di 1,5 trilioni di yen, circa 9,3 miliardi di dollari, dedicato alla produzione di memoria ad alta banda per gli acceleratori AI. Il governo giapponese contribuirà con sussidi fino a 500 miliardi di yen attraverso il ministero dell'Economia, del Commercio e dell'Industria. Le prime spedizioni di HBM4E sono attese per l'estate del 2028, e secondo l'azienda circa l'80% dei materiali impiegati nello stabilimento viene già procurato da fornitori giapponesi.
L'investimento arriva a ridosso della trimestrale record di Micron e si affianca ai cantieri già avviati a Boise, in Idaho, e a Syracuse, nello Stato di New York, mentre SK Hynix e Samsung restano avanti nella corsa alla memoria per l'intelligenza artificiale, come descritto nel precedente approfondimento sul club del trilione di dollari della memoria AI.
