GaN a 1200 V per la ricarica bidirezionale: Fraunhofer IAF a PCIM
Il contributo tecnico più rilevante portato a PCIM 2026 dalla ricerca europea è il dimostratore sviluppato dal Fraunhofer IAF nell'ambito del progetto GaN4EmoBiL, finanziato dal Ministero federale tedesco per l'Economia e l'Energia. Al centro del progetto c'è un modulo GaN a 1200 V integrato in un sistema di ricarica DC bidirezionale monofase a 800 V per veicoli elettrici, realizzato fisicamente dal partner Ambibox GmbH. Il modulo utilizza dispositivi GaN a 1200 V su substrato isolante e viene valutato su un range di tensione di batteria compreso tra 150 V e 920 V.
La potenza del dimostratore è di 3 kW, un valore che può sembrare modesto, ma che risponde a un'esigenza precisa: il sistema affronta un vuoto esistente nel compromesso tra costo, flessibilità, efficienza e compattezza per i sistemi di ricarica bidirezionale off-board monofase. La direzione strategica dichiarata dal Fraunhofer IAF è quella di portare le prestazioni del wide-bandgap ai costi del silicio, obiettivo che segna l'intera traiettoria dello sviluppo GaN europeo per la mobilità e lo stoccaggio energetico. Il keynote di apertura del 9 giugno è stato tenuto dal ricercatore Michael Basler con il titolo “The GaN Evolution: Lateral, Vertical, and Bidirectional – What’s Next?”. (Compound Semiconductor News)
ROHM: nuovo package TSC3PAK per SiC MOSFET, produzione avviata a giugno
Tra le novità di prodotto annunciate in corrispondenza di PCIM, ROHM ha comunicato il lancio in produzione di massa del package TSC3PAK per i propri SiC MOSFET di quarta generazione. Il TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) adotta una struttura di dissipazione termica dal lato superiore del package, ottenendo prestazioni di dissipazione comparabili a quelle dei package tradizionali con foro passante (TO-247-4L), mantenendo però la compatibilità con il montaggio automatizzato. La produzione di massa è partita a giugno 2026. Il prodotto è destinato principalmente a caricatori di bordo (OBC) e compressori elettrici per veicoli xEV.
L'innovazione di packaging è rilevante per i progettisti di sistemi ad alta densità di potenza: la possibilità di abbinare dissipazione dal lato superiore con montaggio SMT riduce la complessità di assemblaggio e apre a layout di scheda più compatti, in un segmento — quello degli OBC per EV — dove la densità di potenza è uno dei parametri di progetto più critici.
Infineon a PCIM: SiC e GaN per data center AI e solid-state transformer
Infineon ha presentato a PCIM una linea che va dalla connessione alla rete fino al core del processore, con power semiconductor, driver, microcontrollori e sensori per unità di alimentazione avanzate, battery backup unit, convertitori per bus intermedio e dispositivi di protezione intelligente. Sul fronte infrastrutturale, i punti salienti includono un dimostratore per solid-state transformer (SST) e componenti per solid-state circuit breaker (SSCB) basati sulla tecnologia CoolSiC JFET, per l'isolamento dei guasti nelle microreti. La casa di Monaco ha anche presentato una PSU da 30 kW per rack AI, segnale della rapidità con cui la domanda dai data center si sta traducendo in specifiche di prodotto concrete.
Il dato strutturale che emerge dall'insieme delle presentazioni PCIM di quest'anno — Infineon, ROHM, onsemi, Fraunhofer IAF — è la convergenza su un tema unico: i data center AI come nuovo mercato di sbocco primario per il power semiconductor avanzato, accanto all'automotive. Per la prima volta PCIM 2026 ha introdotto un palco dedicato ad AI e data center, che ha esaminato soluzioni GaN per ambienti di computing ad alta densità e l'integrazione di metodi AI nella progettazione e nel controllo dell'elettronica di potenza. Per il settore è un cambio di passo: fino a due anni fa PCIM era sostanzialmente una fiera automotive e rinnovabili. Oggi i data center pesano quanto l'inverter di trazione. (Power Electronics News)
SK Hynix: NAND a 375 strati verso la produzione di massa, tungsteno sostituito dal molibdeno
SK Hynix ha completato la verifica di produzione del NAND a 375 strati e sta preparando il trasferimento della tecnologia alle linee di produzione di massa. Non viene costruito un nuovo fab: la ramp-up avverrà tramite investimenti di conversione nelle linee esistenti del fab M15 di Cheongju, dove oggi si producono NAND a 176, 238 e 321 strati. Il prodotto era precedentemente denominato internamente NAND “classe 400 strati”, poi rivisto a causa delle difficoltà produttive associate all'impilamento ultra-alto.
Il punto tecnico più interessante riguarda i materiali. SK Hynix ha apportato una modifica chiave nel design del 375 strati, sostituendo parte degli elettrodi di gate metallici — le word line — con molibdeno al posto del tungsteno. Samsung aveva già introdotto il molibdeno nella produzione del NAND di nona generazione a 286 strati, entrato in produzione di massa nell'aprile 2024; il suo NAND di decima generazione, oltre i 400 strati, si prepara alla commercializzazione nella seconda metà di quest'anno. La roadmap SK Hynix si estende a 480 e 604 strati, che richiederanno un approccio produttivo diverso. Il presidente Chey Tae-won ha dichiarato che la domanda cresce così rapidamente da poter superare anche l'espansione accelerata. (TrendForce)
In breve
Galaxy Microelectronics acquisisce il 100% di Hunteck per entrare nei semiconduttori di potenza di fascia alta
Galaxy Microelectronics ha annunciato l'acquisizione totale di Hunteck Semiconductor. La mossa punta a integrare tecnologie avanzate come SGT MOSFET, IGBT e GaN per espandersi nei settori automotive e dell'automazione industriale.(ChargerLab)
Forge Nano riceve un importante ordine di attrezzature per la produzione di fotonica integrata
Forge Nano ha siglato un accordo con un'azienda leader nella fotonica per la fornitura della piattaforma TEPHRA. La tecnologia ALD (Atomic Layer Deposition) sarà utilizzata per la produzione commerciale di dispositivi fotonici avanzati per infrastrutture AI. (AZoM)
CADFEM APAC e SilTerra Malaysia: partnership per l'innovazione nei chip
Una nuova collaborazione strategica tra CADFEM e la fonderia malese SilTerra punta a spingere l'innovazione tecnologica nel sud-est asiatico, rispondendo alla pressione globale per chip sempre più performanti. (Yahoo Finance)
Samsung valuta un nuovo impianto di packaging a Gwangju; SK Hynix esplora investimenti
Il settore tecnologico cinese sta entrando in una fase di crescita strutturale guidata dalla localizzazione della produzione di semiconduttori e dal forte supporto politico per l'indipendenza dai fornitori esteri. (Premia Partners)
(E.L.)
