Toshiba Electronics Europe sarà presente a PCIM Europe 2026 — Norimberga, 9-11 giugno, Padiglione 4A, Stand 4A-227 — con una selezione di dispositivi di potenza orientati alle applicazioni più esigenti del momento: trazione ferroviaria, data center AI, infrastrutture per le energie rinnovabili, veicoli elettrici.
Il fulcro della presenza espositiva sono i moduli MOSFET SiC di nuova generazione, che Toshiba presenta con una riduzione sensibile della resistenza in conduzione (Rds(on)) e delle perdite di commutazione rispetto alla generazione precedente. Il risultato pratico è la possibilità di progettare inverter ad alta frequenza più compatti e più efficienti, con benefici diretti su densità di potenza e gestione termica. Sul versante delle alte tensioni, l'azienda porta i nuovi dispositivi IEGT Press Pack da 6500 V e 2000 A, basati sulla tecnologia Trench-IEGT di seconda generazione: componenti progettati per sistemi di trazione e reti elettriche dove la robustezza nel lungo ciclo di vita è un requisito non negoziabile.
Allo stand sarà allestita una serie di piattaforme dimostrative — inverter, controllo motori, sistemi HVAC — affiancate da soluzioni di gate driver, isolamento e progettazione di riferimento per applicazioni ad alta tensione. Presente anche la gamma per server AI: soluzioni di alimentazione basate su SiC e MOSFET a super-giunzione per caricabatterie veloci e infrastrutture di telecomunicazione. Toshiba esporrà inoltre campioni di wafer, die nudi e moduli per applicazioni automotive, con strumenti di prototipazione rapida basati su software proprietario e schede MIKROE Click boards.
«Molti dei sistemi che i nostri clienti stanno sviluppando devono poter funzionare in modo affidabile per lunghi cicli di vita», ha dichiarato Matthias Diephaus, responsabile marketing prodotti su semiconduttore di Toshiba Electronics Europe. «Il nostro approccio è fornire piattaforme di dispositivi stabili, roadmap chiare e supporto tecnico per implementarle in modo efficace.»
Gli esperti Toshiba interverranno anche nel programma tecnico della conferenza con tre presentazioni: mercoledì 10 giugno (ore 15:50, stand espositore) sull'impiego dei MOSFET SiC SMD per aumentare la densità degli alimentatori in server AI e caricabatterie; giovedì 11 giugno (ore 10:10, sala Istanbul) sui Press Pack IEGT 6500 V di seconda generazione; giovedì 11 giugno (ore 15:00, sala San Pietroburgo) sul funzionamento efficiente ad alta frequenza di un inverter con modulo SiC dotato di diodo SBD integrato.
Ulteriori informazioni sulla presenza Toshiba al PCIM 2026 sono disponibili sul sito ufficiale dell'azienda.
