UnitedSiC per l’upgrade “drop-in” di IGBT, Si- e SiC-MOSFET

I progettisti di fasi di correzione del fattore di potenza, raddrizzatori AFE (Active Front End), convertitori LLC e Phase Shift Full Bridge possono ora aggiornare le prestazioni dei sistemi utilizzando la nuova serie UJ3C1200 di SiC JFET cascode fornita da UnitedSiC.

Con una tensione nominale di 1200 V e ON-resistences di 80 e 40 milliohm, questi dispositivi offrono una soluzione di sostituzione "drop-in" per molte parti IGBT, Si-MOSFET e SiC-MOSFET esistenti, senza modifiche alla circuiteria del gate drive. Ciò semplifica gli aggiornamenti di progettazione e fornisce una fonte di acquisto alternativo per le parti esistenti.

Gli usi finali includono caricabatterie EV on-board, carica della batteria per carrelli elevatori, inverter FV, saldatura e altro ancora. Nei nuovi progetti, la serie UJ3C1200 di UnitedSiC offre maggiori frequenze di commutazione per ottenere  vantaggi in termini di efficienza, di riduzione delle dimensioni e del costo dei componenti passivi, come magneti e condensatori.

Pubblica i tuoi commenti