Toshiba presenta i MOSFET per automotive a 40 V con RDS(ON) ultra bassa

Toshiba Electronics Europe annuncia il lancio dei MOSFET di potenza a canale N da 40 V TPWR7940PB e TPW1R104PB, che utilizzano package DSOP Advance (WF) con capacità di raffreddamento su due lati. Il TPWR7940PB è un MOSFET da 40 V con una RDS(ON) massima di 0,79 mΩ nel package DSOP Advance (WF)L e il TPW1R104PB è un MOSFET da 40V con una RDS(ON) massima di 1,14 mΩ nel package DSOP Advance (WF)M. Entrambi i dispositivi sono basati sul più recente processo U-MOSIX-H con struttura trench e sono qualificati AEC-Q101. Essi si rivolgono ad applicazioni automotive quali il servosterzo elettrico (EPS), i sezionatori di carico e le pompe elettriche.

Sia il DSOP Advance (WF)M, sia il DSOP Advance (WF)L sono package da 5 x 6 a otto pin. IL DSOP Advance (WF)M e il DSOP Advance (WF)L differiscono in termini di area di superficie esposta della piastra metallica superiore. Essa è di circa 8 mmq nel package DSOP Advance (WF)M e di circa 12 mmq nel DSOP Advance (WF)L. Misurata in un ambiente di test di Toshiba, la massima impedenza termica fra il canale e la piastra superiore è di 1,5 K/W per il package TPW1R104PB e di 0,93 K/W per il TPWR7940PB. Le loro prestazioni termiche sono state ottenute collegando l'area esposta a un dissipatore di calore (come ad esempio un telaio metallico) tramite uno strato isolante.

I package DSOP Advance (WF)M e DSOP Advance (WF)L sono compatibili con l’ingombro del package SOP Advance (WF) che non presenta un’area esposta metallica sulla sommità. I package DSOP Advance (WF)M e DSOP Advance (WF)L sfruttano una struttura di terminale a fianco bagnabile che consente l’ispezione ottica automatica (AOI) dei giunti di saldatura su PCB. L’AOI è particolarmente importante nelle applicazioni automotive, in cui è richiesta la verifica della qualità della saldatura.

 

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