Toshiba annuncia la prossima generazione di MOSFET di potenza a supergiunzione

Toshiba Electronics Europe ha lanciato una nuova serie di MOSFET di potenza da 650V di prossima generazione che sono destinati per l'uso negli alimentatori per server nei data center, nei condizionatori di potenza per il fotovoltaico, nei gruppi di continuità e in altre applicazioni industriali. Il primo dispositivo della serie DTMOS VI è il TK040N65Z, un dispositivo da 650V che supporta correnti di drain in continua (ID) fino a 57A e fino a 228A in modalità impulsata (IDP). Il nuovo dispositivo offre una resistenza drain-source di ON RDS(ON) ultra bassa di 0,04Ω (0,033Ω tip.) che riduce le perdite nelle applicazioni di potenza. Il dispositivo in modalità di arricchimento è ideale per l’uso nei moderni alimentatori ad alta velocità, grazie alla ridotta capacità di progetto.

L’efficienza dell'alimentazione risulta migliorata come conseguenza delle riduzioni dell'indice di prestazione chiave/figura di merito (FoM) – RDS(ON) x Qgd. Il TK040N65Z mostra un miglioramento del 40% in questa importante figura di merito rispetto al dispositivo precedente DTMOS IV-H, che rappresenta un guadagno significativo in termini di efficienza di alimentazione dell’ordine dello 0,36% - come misurato in un circuito PFC da 2,5kW.

Il nuovo dispositivo è alloggiato in un package TO-247 standard, che garantisce sia la compatibilità con i progetti esistenti sia l’idoneità per i nuovi progetti.

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