Passi avanti nelle tecnologie di memoria

RICERCA –

I ricercatori di Intel e Numonyx hanno dato dimostrazione di un chip a 64 Mb che incorpora la capacità di stacking, ovvero di sovrapposizione di strati multipli di un “array” di Pcn all’interno di un solo die.

Intel e Numonyx annunciano di aver compiuto un grande passo avanti nella ricerca sulla Pcm (Phase change memory), l'innovativa tecnologia per le memorie non volatili, che racchiude in sé molti dei benefici delle varie tipologie di memoria attualmente disponibili. Per la prima volta i ricercatori di Intel e di Numonyx hanno dato dimostrazione in una prova di un chip a 64 Mb che incorpora la capacità di stacking, ovvero di sovrapposizione di strati multipli di un “array” di Pcn all'interno di un solo die.

In questo modo i ricercatori sono stati in grado di produrre una cella di memoria integrata verticalmente - Pcms (Phase change memory and switch). Questa innovazione prepara la strada per le memorie del futuro, basate su tecnologia Pcm, che saranno sempre più scalabili e ad alta densità e che si tradurranno in dispositivi sempre più veloci, con una capacità sempre più ampia, e, allo stesso tempo, minori consumi energetici e ottimizzazione degli spazi per Ram e applicazioni di storage.

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