Toshiba Electronics Europe, azienda che si occupa in Europa dei componenti elettronici del gruppo Toshiba, ha presentato, in occasione di un recente press summit europeo, una nuova linea di prodotti di memorie flash Nand Slc (Single Leve Cell) da 24 nm per applicazioni che garantiscono la piena compatibilità con la diffusissima interfaccia seriale Spi (Serial peripheral interface). Le nuove memorie Nand con interfaccia seriale possono essere utilizzate in una vasta gamma di applicazioni elettroniche di largo consumo, come Tv a schermo piatto, stampanti, dispositivi indossabili, e in diverse applicazioni industriali, ad esempio nei robot. La nuova gamma di prodotti comprende modelli con tagli di capacità da 1 Gbit, 2 Gbit e 4 Gbit disponibili sia in contenitore Sop (10,3 x 7,5 mm) che in contenitore Wson (6,0 x 8,0 mm). Ciascuna combinazione di capacità/contenitore è disponibile a scelta con tensione di alimentazione di 1,8 V o 3,3 V. Le funzioni di lettura sequenziale ad alta velocità, il codice a correzione di errori con funzione di rilevazione dei bit alterati e le altre funzioni integrate per la protezione dei dati offrono un rapido accesso alle informazioni garantendo allo stesso tempo sicurezza e affidabilità.
La Serial Peripheral Interface
L’interfaccia Spi permette ai dispositivi di essere controllati utilizzando solamente sei piedini, dando la possibilità ai progettisti di accedere a una memoria Slc Nand di grande capacità e piccole dimensioni con ridotto numero di segnali. Le memorie Nand con interfaccia seriale hanno un costo per bit molto più basso rispetto alle memorie flash Nor tipicamente utilizzate nelle applicazioni embedded. Affinché i dispositivi elettronici embedded possano garantire le funzionalità avanzate oggi richieste dai clienti, è necessario che siano dotati di una maggiore capacità di memorizzazione interna. La crescente domanda di capacità è trainata dalle maggiori dimensioni del software (compresi i programmi di avvio, il firmware e il sistema operativo embedded) e dei dati (compresi i file di log), il che suggerisce ai progettisti di passare alle memorie flash Slc Nand, per raggiungere gli obiettivi di elevata densità e alta affidabilità richiesti. Con un intervallo di temperature di funzionamento compreso tra -40 °C e +85 °C, questi dispositivi sono adatti per affrontare la maggior parte delle applicazioni in ambito consumer e industriale. I campioni dei dispositivi in contenitore Wson e Sop sono già disponibili, mentre la produzione in grande serie è partita a fine 2015. Sono in corso di sviluppo anche dei dispositivi in contenitore Bga.
Nand stacked a 16 die con tecnologia Tsv
La scorsa estate, in occasione del Flash Memory Summit 2015 di Santa Clara, Toshiba ha anche ha annunciato lo sviluppo della prima memoria flash Nand di tipo stacked a 16 die con l'utilizzo della tecnologia Through Silicon Via. Secondo lo stato della tecnica precedente, le memorie flash Nand di tipo stacked erano collegate insieme con wire bonding in un package. La tecnologia Tsv utilizza invece gli elettrodi verticali e i collegamenti per il passaggio attraverso i die in silicio per la connessione. Ciò consente l'ingresso e l'uscita dei dati ad alta velocità, riducendo inoltre il consumo di energia. La tecnologia Tsv di Toshiba raggiunge una velocità di dati I/O superiore a 1 Gbps, maggiore rispetto a qualunque altra memoria flash Nand con tensione di alimentazione ridotta: 1,8 V per i circuiti principali, 1,2 V per i circuiti I/O e una riduzione del 50% circa di potenza nelle operazioni di scrittura, lettura e trasferimenti dati I/O. Questa memoria flash Nand è ideale per bassa latenza, larghezza di banda elevata e alto IOPS/watt in applicazioni di storage flash, tra cui Ssd di alta gamma nel settore enterprise.
