MOSFET di potenza a supergiunzione

Toshiba Electronics Europe ha lanciato una nuova serie di MOSFET di potenza da 650 V destinati per l'uso negli alimentatori per server nei data center, nei condizionatori di potenza per il fotovoltaico, nei gruppi di continuità e in altre applicazioni industriali. Il primo dispositivo della serie DTMOS VI è il TK040N65Z, un dispositivo da 650 V che supporta correnti di drain in continua (ID) fino a 57 A e, in modalità impulsata (IDP), fino a 228 A. Il nuovo dispositivo offre una resistenza drain-source ON RDS(ON) ultra bassa, pari a 0,04 Ω, che riduce le perdite nelle applicazioni di potenza. Il dispositivo in modalità di arricchimento è ideale per l’uso nei moderni alimentatori ad alta velocità, grazie alla ridotta capacità di progetto.

L’efficienza dell'alimentazione risulta migliorata come conseguenza delle riduzioni dell'indice di prestazione chiave/figura di merito (FoM) – RDS(ON) x Qgd. Il TK040N65Z mostra un miglioramento del 40% in questa importante figura di merito rispetto al dispositivo precedente DTMOS IV-H, rappresentando un guadagno significativo in termini di efficienza di alimentazione dell’ordine dello 0,36% - come misurato in un circuito PFC da 2,5 kW.

Il nuovo dispositivo è alloggiato in un package TO-247 standard, che garantisce sia la compatibilità con i progetti esistenti sia l’idoneità per i nuovi progetti.

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