I vantaggi del nitruro di gallio nella commutazione di potenza

Per superare le limitazioni che l'utilizzo del silicio impone alla velocità di commutazione, temperatura, tensione e corrente, GaN Systems sviluppa la gamma più estesa di soluzioni per la commutazione di potenza con dispositivi al nitruro di gallio per vari mercati, supportata dalla sua esclusiva tecnologia Island Technology che le permette di far fronte ai problemi che attualmente l'impiego del nitruro di gallio pone in termini di costo, prestazioni e fabbricabilità, consentendo di sviluppare dispositivi più compatti e più efficienti rispetto ai tradizionali approcci progettuali. In occasione del Pcim 2014 di Norimberga l'azienda ha lanciato cinque nuovi transistor GaN da 100 V normalmente Off in contenitori con bassissima induttanza ed efficienza termica ottimizzata e una nuova famiglia di transistor GaN da 650 V normalmente Off.

Transistor GaN da 100 V

La famiglia di transistor GaN da 100 V normalmente nello stato di interdizione appena lanciata da GaN Systems copre l'intervallo da 20 a 80 A con resistenza On bassissima. I modelli GS61002P, GS61004P, GS61006P e GS61008P presentano, rispettivamente, valori nominali di 20 A e 21 mΩ, 40 A e 11 mΩ, 60 A e 8 mΩ, 80 A e 5 mΩ, mentre il modello GS71008P è un dispositivo per semiponte da 80 A e 5 mΩ.
Questi nuovi dispositivi ad arricchimento presentano funzionalità di corrente inversa, rilevazione del generatore per l'ottimizzazione dei progetti di sistemi ad alta velocità e valori straordinariamente bassi sia della carica totale di gate che della carica inversa di ripristino. I dispositivi, a norma RoHS, sono forniti in un contenitore GaNPX integrato che riduce al minimo l'induttanza e ottimizza le prestazioni termiche. Come ha affermato Girvan Patterson, Presidente di GaN Systems, in occasione della presentazione dei nuovi dispositvi, "Riteniamo di essere la prima azienda ad offrire una gamma di dispositivi così ampia e già disponibili per prove. Questi transistor sono impiegabili in convertitori Cc-Cc ad alta velocità, azionamenti di motori CA a bassa tensione, inverter e alimentatori a commutazione.”

Transistor GaN da 650 V
A questa proposta si aggiunge anche il lancio di cinque nuovi transistor GaN da 650 V normalmente nello stato di interdizione, ottimizzati per la realizzazione di sistemi ad alta velocità. I modelli GS66502P, GS66504P, GS66506P e GS66508P presentano, rispettivamente, valori nominali di 8,5 A e 165 mΩ, 17 A e 82 mΩ, 25 A e 55 mΩ, 34 A e 41 mΩ, mentre il modello GS43106L è un cascode da 30 A e 60 mΩ. Questi nuovi dispositivi ad arricchimento da 650 V presentano funzionalità di corrente inversa, carica inversa di ripristino nulla e rilevazione del generatore per l'ottimizzazione dei progetti di sistemi ad alta velocità. Anche questi dispositivi sono forniti in un contenitore GaNPX integrato, quasi in scala del chip, che elimina la necessità di wire bonding ed è estremamente compatto. "Con questi nuovi dispositivi da 650 V, unitamente alla famiglia di dispositivi da 100 V, GaN Systems offre una gamma di dispositivi molto ampia. I nuovi transistor sono ideali per convertitori Cc-Cc ad alta velocità, convertitori a risonanza, azionamenti di motori Ca, caricabatteria e alimentatori a commutazione” ha concluso Patterson.

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