Flash SLC da 24 nm a 16Gb

Toshiba ha ampliato la propria famiglia di memorie flash con celle a singolo livello da 24 nm con un nuovo dispositivo che offre una capacità di 16 Gbit in un package standard Tspo da 48 pin. La nuova aggiunta alla gamma fa sì che i progettisti oggi possano trarre vantaggio dal rapporto prezzo/prestazioni della tecnologia flash avanzata Nand Slc da 24 nm dell’azienda in tutti i tagli di capacità da 1GB fino a 128Gb. Analogamente agli altri membri della famiglia, il nuovo dispositivo offre una combinazione di alte prestazioni in lettura/scrittura, una resistenza effettiva alla scrittura, e il funzionamento in un intervallo esteso di temperature. Ciò lo rende adatto per una varietà di applicazioni commerciali e industriali.

Pubblica i tuoi commenti