Power Integrations ha annunciato il SIC1182K SCALE-iDriver, un gate driver per pilotare SiC MOSFET a singolo canale e ad alta efficienza che fornisce il picco più alto di corrente di uscita del gate disponibile senza stadio di amplificazione esterno. I dispositivi possono essere configurati per supportare diversi requisiti di tensione a livello di gate-drive per soddisfare la gamma di requisiti osservati oggi nei MOSFET SiC; inoltre, includono caratteristiche di sicurezza avanzate che li rendono compatti e robusti.
SIC1182K offre fino a 8 A di corrente di uscita ad una temperatura di giunzione di 125 ° C, consentendo a questi dispositivi di supportare il design di inverter con SiC-MOSFET fino a diverse centinaia di kilowatt senza stadio di amplificazione. Ciò si traduce in un'elevata efficienza del sistema e consente ai clienti di produrre un solo progetto per coprire il proprio intero portafoglio di inverter dalla differente potenza nominale. Una frequenza di commutazione fino a 150 kHz supporta più applicazioni.
I gate driver SIC1182K sono dotati della tecnologia FluxLink per comunicazioni ad alta velocità di Power Integrations, che migliora drasticamente la capacità di isolamento. La tecnologia FluxLink elimina la necessità di inaffidabili accoppiamenti optoelettronici e dei corrispondenti circuiti di compensazione, migliorando così la stabilità operativa e al contempo riducendo la complessità del sistema
I dispositivi SCALE-iDriver includono anche funzioni di protezione critiche per il sistema come il monitoraggio della desaturazione e l'attuale lettura SENSE, il blocco sottotensione di ingresso sul lato primario / lato secondario (UVLO) e l'Advanced Active Clamping (AAC).
Inoltre, i circuiti di protezione garantiscono uno spegnimento sicuro entro 5 microsecondi, soddisfacendo le esigenze di protezione rapida dei dispositivi SiC. SIC1182K mostra un'elevata immunità ai campi magnetici esterni, con un package che fornisce una distanza di dispersione ≥9,5 mm e un CTI di 600, secondo IEC60112.
