È prossimo il boom dei SiC e GaN

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MERCATO POWER

Il mercato dei dispositivi Silicon Carbide e Gallium Nitride potrebbe entro un triennio giungere i 160 milioni di dollari.

Selezione di Elettronica

04 Maggio 2010

Il mercato dei dispositivi power SiC (Silicon Carbide) e GaN (Gallium Nitride) potrebbe entro un triennio giungere a valere più di 160 milioni di dollari, stando all'osservatore di mercato IMS Research. Questo risultato equivarrebbe a una significativa crescita di tale settore, che l'anno scorso non ha superato i 22.000 dollari. Secondo l'agenzia, infatti, i diodi di SiC Schottky - utilizzati soprattutto nelle batterie Pfc (Power Factor Correction) - dovrebbero costituire almeno un terzo di quest'ultimo.