A Vishay doppio premio EDN China

PREMI –

EDN China quest’anno ha premiato 2 volte Vishay per le resistenze Power Metal Strip e ai power Mosfet TrenchFet.

Vishay si è aggiudicata ben due vittorie all’edizione 2009 dell’Edn China Innovation Awards. I premi sono stati attribuiti alle resistenze Power Metal Strip e ai power Mosfet TrenchFet. Nella categoria “Componenti passivi, connettori e sensori” l'affermazione è stata conquistata grazie ai resistori surface-mount Power Metal Strip ad alta temperatura da 1W: l’unico dispositivo in formato 2010 in grado di poter operare in un range compreso tra i –65 °C e i +275 °C. Anche per quanto riguarda la categoria “Power Device and Module” il primo premio è andato a Vishay per la tecnologia di power Mosfet TrenchFet Gen III, in grado di produrre dispositivi che stabiliscono nuovi record di efficienza nella conversione Dc-Dc, nel battery management e nei circuiti di load switching nelle applicazioni per telecomunicazioni, computer, server, alimentatori e industriali in genere.

Pubblica i tuoi commenti